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IPB60R180P72023/12/5 11:06:00
描述:IPB60R180P7优化超结 MOSFET 兼具高能效和易用性600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中...[全文]
IPB60R099C62023/12/5 11:04:00
描述:IPB60R099C6CoolMOS™ C6结合了英飞凌作为业内先进的超结MOSFET供应商的相关经验与其先进的创新技术C6 器件具备了快速开关超结 MOSFET 的所有优点,同时又不牺牲易用性。很低的开关和通态损耗...[全文]
IPB80N04S2-H42023/12/5 11:03:00
特征描述:IPB80N04S2-H4N 通道 - 增强模式通过汽车 AEC 101 认证MSL1 峰值回流温度高达 260°C175°C 的工作温度超低 Rds(on)100% 经过雪崩测试环保产品(符合 RoHS)优势:IPB80N...[全文]
IPB80P04P407ATMA12023/12/5 10:58:00
特征描述:IPB80P04P407ATMA1P 通道 - 正常电平 - 增强模式AEC 认证MSL1 峰值回流温度高达 260°C175°C 的工作温度环保封装(符合 RoHS)100% 经过雪崩测试仿真/ SPICE-型号制造商: ...[全文]
IPB80N04S4-032023/12/5 10:57:00
特征描述:IPB80N04S4-03N 通道 - 增强模式AEC 认证MSL1 峰值回流温度高达 260°C175°C 的工作温度环保产品(符合 RoHS)100% 经过雪崩测试优势:IPB80N04S4-0340V 时, RDS (...[全文]
IPB80P04P4L-062023/12/5 10:56:00
特征描述:IPB80P04P4L-06P 通道 -逻辑电平 - 增强模式AEC 认证MSL1 峰值回流温度高达 260°C175°C 的工作温度环保封装(符合 RoHS)100% 经过雪崩测试仿真/ SPICE-型号制造商: Infi...[全文]
IPB90R340C32023/12/5 10:56:00
描述:IPB90R340C3CoolMOS™ P7替代CoolMOS™ C3 。900V CoolMOS™ C3 是英飞凌第三个 CoolMOS™ 系列产品,于 2001 年上市。C3 ...[全文]
IPB017N10N5LF2023/12/5 10:55:00
描述:IPB017N10N5LF将低RDS(on)与宽安全工作区(SOA)相结合OptiMOS™线性FET是一种全新方法,实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻(R DS(on) )和线性模式能力的出色平衡。它提供先...[全文]
IPB020N10N52023/12/5 10:54:00
描述:IPB020N10N5采用 D2PAK 7引脚封装的OptiMOS™5 100V功率MOSFET,R DS(on)降低22% ,适用于电信和服务器电源应用英飞凌的OptiMOS™5 100V功率MOSFE...[全文]
IPB60R280P72023/12/5 10:53:00
描述:IPB60R280P7优化超结 MOSFET 兼具高能效和易用性600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中...[全文]
IPB60R099P72023/12/5 10:52:00
描述:IPB60R099P7优化超结 MOSFET 兼具高能效和易用性600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中...[全文]
IPB45N06S4L-082023/12/5 10:51:00
特征描述:IPB45N06S4L-08N 通道 - 增强模式AEC 101 认证MSL1 峰值回流温度高达 260°C175°C 的工作温度环保产品(符合 RoHS)100% 经过雪崩测试优势:IPB45N06S4L-0860V 时,...[全文]
IPB320N20N3G2023/12/5 10:50:00
描述:IPB320N20N3G英飞凌 200V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术,适合在 48V 系统、直流-直流转换器、不间断电源 (UPS) 和直流电机驱动逆变器中用于异步整流。特征描述:IPB320N20N...[全文]
IPB200N25N3G2023/12/5 10:49:00
描述:IPB200N25N3G英飞凌 250V OptiMOS™ 产品采用性能先进标杆技术,完全适合在 48V 系统、直流-直流转换器、不间断电源 (UPS) 和直流电机驱动逆变器中用于异步整流。特征描述:IPB200N2...[全文]
IPB180N10S4-022023/12/5 10:48:00
描述:IPB180N10S4-02N 通道 - 增强模式AEC 认证MSL1 峰值回流温度高达 260°C175°C 的工作温度环保产品(符合 RoHS)100% 经过雪崩测试制造商: Infineon  产品种类...[全文]
IPB123N10N3G2023/12/5 10:45:00
描述:IPB123N10N3G英飞凌的 100V OptiMOS™ 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 R Ds(on)和 FOM(品质因数)方面均...[全文]
IPB180N04S4-H02023/12/5 10:44:00
特征描述:IPB180N04S4-H0N 通道 - 增强模式AEC 认证 MSL1 峰值回流温度高达 260°C175°C 工作温度环保产品(符合 RoHS)超低 Rds(on)100% 雪崩测试优势:IPB180N04S4-H040...[全文]
IPB180N04S4-012023/12/5 10:43:00
特征描述:IPB180N04S4-01N 通道 - 增强模式AEC 认证MSL1 峰值回流温度高达 260°C175°C 的工作温度环保产品(符合 RoHS)超低 Rds(on)100% 经过雪崩测试优势:IPB180N04S4-01...[全文]
IPB180N06S4-H12023/12/5 10:42:00
特征描述:IPB180N06S4-H1N 通道 - 增强模式AEC 101 认证MSL1 峰值回流温度高达 260°C175°C 的工作温度环保产品(符合 RoHS)100% 经过雪崩测试极低RDSon超高 ID优势:IPB180N0...[全文]
XCZU3CG-L1SFVC784I带 CoreSight™ 的双核 ARM® Cortex2023/12/5 10:31:00
详细描述带 CoreSight™ 的双核 ARM® Cortex®-A53 MPCore™,带 CoreSight™ 的双核 ARM® Cortex™-R5...[全文]
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