采用最新的arf浸入式技术起动全面整合

松下电器产业有限公司（matsushita electric industrial co., ltd.）与瑞萨科技公司（renesas technology corp.）日前宣布，两家公司已开始对45nm soc（系统级芯片）半导体制造技术进行全面整合1 测试。该工艺技术是业界第一次利用1.0以上的数值孔径（na）和arf（氩氟化物）浸入式微影系统2进行的全面整合。两家公司于2005年10月开始实施45nm结点工艺开发项目，且早在1998年就在上一代工艺开发方面进行了合作。

预期目前的联合开发项目将在2007年6月完成，开始投入量产的时间是2008财年。新的45nm工艺将用来制造松下和瑞萨用于先进移动产品和网络消费类电子产品的系统级芯片。除了先进级的arf浸入式光刻外，两家公司还计划在开发项目中采用其他新技术，包括引入应力的高迁移率晶体管3和elk（k = 2.4）多层布线模块4。

两家公司首次合作开发下一代soc技术是在1998年，还是在瑞萨科技成立之前。这个新项目是双方从2005年10月开始合作的第五阶段的一部分。给人留下深刻印象的记录包括，2001年完成的130nm dram融合工艺、2002年的90nm soc工艺，以及2004年的90nm dram融合工艺和2005年的65nm soc工艺结点开发项目。

未来，松下与瑞萨将继续高效合作开发先进技术，利用双方积累的技术和建立在信任基础上的紧密合作关系，充分利用开发资源和分享技术信息。