TSU111H数据封装特点概述
发布时间:2023/4/17 8:38:23 访问次数:221
tsu111h
是一款5v车规运算放大器,该芯片具有低功耗、宽输入电压范围、高共模抑制比、低偏置电流、小封装和广温度范围等优特点,非常适合在汽车电子、工业控制、医疗仪器和便携式设备等领域中使用。
优特点:
低功耗:tsu111h的功耗非常低,仅为0.7ma,适合在电池供电的应用场合中使用,可以延长电池寿命。
宽输入电压范围:tsu111h的输入电压范围在-0.3v至5.3v之间,可以适应各种不同的输入信号。
高共模抑制比:tsu111h具有高共模抑制比,可以有效降低共模干扰对信号的影响,提高信噪比。
低偏置电流:tsu111h的偏置电流非常低,仅为1na,可以降低误差和漂移,提高精度。
产品概述:
采用sot-23-5封装,
尺寸为2.9mm x 1.6mm x 1.1mm,
适用于空间受限的应用场合。
适应不同的供电电压。
其低静态电流和低输入偏置电流
可以降低功耗和误差,提高精度。
温度范围广:-40℃至125℃。
数据参数:
输入电压范围:-0.3v至5.3v
工作电压:2.7v至5.5v
静态电流:0.7ma
增益带宽积:2.2mhz
共模抑制比:85db
输入偏置电流:1na
输入偏置电压:300μv
tsu111h
是一款5v车规运算放大器,该芯片具有低功耗、宽输入电压范围、高共模抑制比、低偏置电流、小封装和广温度范围等优特点,非常适合在汽车电子、工业控制、医疗仪器和便携式设备等领域中使用。
优特点:
低功耗:tsu111h的功耗非常低,仅为0.7ma,适合在电池供电的应用场合中使用,可以延长电池寿命。
宽输入电压范围:tsu111h的输入电压范围在-0.3v至5.3v之间,可以适应各种不同的输入信号。
高共模抑制比:tsu111h具有高共模抑制比,可以有效降低共模干扰对信号的影响,提高信噪比。
低偏置电流:tsu111h的偏置电流非常低,仅为1na,可以降低误差和漂移,提高精度。
产品概述:
采用sot-23-5封装,
尺寸为2.9mm x 1.6mm x 1.1mm,
适用于空间受限的应用场合。
适应不同的供电电压。
其低静态电流和低输入偏置电流
可以降低功耗和误差,提高精度。
温度范围广:-40℃至125℃。
数据参数:
输入电压范围:-0.3v至5.3v
工作电压:2.7v至5.5v
静态电流:0.7ma
增益带宽积:2.2mhz
共模抑制比:85db
输入偏置电流:1na
输入偏置电压:300μv