主要参数

场效应晶体管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时只需要关注以下几项主要参数。

①夹断电压(up)。这是指在规定的漏极电压us下，使漏极电流/。(即沟道电流)为零或者小于某一小电流值(例如1μa、10μa)时，加在栅极上的电压ucs,它是结型或耗尽型绝缘栅场效应晶体管的重要参数。

②开启电压(ur)。这是指当漏极电压us为某一规定值时，使导电沟道(即漏、源极之间)刚开始导通时的栅极电压ucs,它是增强型场效应晶体管的重要参数。当栅极电压uos小于开启电压up的绝对值时，场效应晶体管不能导通。

③饱和漏电流(1oss)。这是指当栅、源极短路(uss=0)时，一定的漏极电压us(大于夹断电压)所引起的漏极电流/%。饱和漏电流反映了零栅压时原始沟道的导电能力，是耗尽型场效应晶体管的重要参数。

④低频跨导(gm)。在漏极电压uos为规定值时，漏极电流变化量△1。与引起这个变化的栅压变化量△ucs的比值，叫跨导(或互导),即gm=△/△uos。gm的常用单位是ms(毫西门子)。gm是衡量场效应晶体管栅极电压对漏极电流控制能力强弱的一个参数，也是衡量放大作用的重要参数，与晶体三极管的交流电流放大系数β相似。gm与管子的工作区域有关，漏极电流/,越大，管子的跨导gm也越大。

⑤漏源击穿电压(buos)。这是指栅极电压uas一定时，场效应晶体管正常工作所能承受的最大漏极电压，它相当于普通晶体三极管的集电极一发射极击穿电压vericoo(即buceo)。这是一项极限参数，使用时加在场效应晶体管上的工作电压必须小于buos。

⑥最大漏源电流(/osm)。这是指场效应晶体管正常工作时，漏、源极之间所允许通过的最大电流，它相当于普通晶体三极管的/cm。场效应晶体管的工作电流不应超过这一极限参数。

⑦最大耗散功率(ppsm)。这是指场效应晶体管性能不变坏时，所允许的最大漏极耗散功率，它相当于普通三极管的pcx。使用时，场效应晶体管的实际功耗(pp=uos×1o)应小于这一极限参数，并留有一定余量。

文章来源：不可不知的36种电子元器件（第二版）。作者：张晓得东。版权归原作者。如涉版权请联系删除。