三极管的输入特性是指当集-射极电压uce为常数时，基极电流ib与基-射极电压ube之间的关系曲线。

对硅管而言，当uce超过1v时，集电结已经达到足够反偏，可以把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区，如果此时再增大uce，只要ube保持不变（从发射区发射到基区的电子数就一定），ib也就基本不变，就是说，当uce超过1v后的输入特性曲线基本上是重合的，和二极管的伏安特性一样，三极管的输入特性也有一段死区，只有当ube大于死区电压时，三极管才会出现基极电流ib，通常硅管的死区电压约为0.5v，锗管约为0.1v，在正常工作情况下，npn型硅管的发射结电压ube为0.6～0.7v，低噪声放大三极管pnp型锗管的发射结电压ube为-0.2～-0.3v。

三极管的输出特性是指当基极电流ib一定时，集电极电流ic与集-射极电压uce之间的关系曲线，在不同的ib下，可得出不同的曲线，所以三极管的输出特性是一组曲线，通常把输出特性曲线分为三个工作区：。

1，放大区：输出特性曲线的近于水平部分是放大区，在放大区，ic＝ib×，由于在不同ib下电流放大系数近似相等，所以放大区也称为线性区，三级管要工作在放大区，发射结必须处于正向偏置，集电结则应处于反向偏置，对硅管而言应使ube>0，ubc<0。

2，截止区：ib＝0的曲线以下的区域称为截止区，实际上，对npn硅管而言，当ube＜0.5v时即已开始截止，但是为了使三极管可靠截止，常使ube≤0v，此时发射结和集电结碳敏三极管均处于反向偏置。

一般都这样描述三极管的三个工作区：。

1，截止区：三极管工作在截止状态，当发射结电压ube小于0.6—0.7v的导通电压，发射结没有导通集电结处于反向偏置，没有放大作用。

2，放大区：三极管的发射极加正向电压（锗管约为0.3v，硅管约为0.7v），集电极加反向电压导通后，ib控制ic，ic与ib近似于线性关系。

3，饱和区：当三极管的集电结电流ic增大到一定程度时，再增大ib，ic也不会增大，超出了放大区，进入了饱和区。

上面三个工作区中，截止区和放大区的原理和曲线都好理解，本文不讨论，唯独饱和区，会让大多数同学感到非常困惑，按照上面教科书关于饱和区的解释，是说在这个区域中ic不再随着ib的增大而增大。

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