ntmfs3d2n10md：

n 通道屏蔽栅极 powertrench® mosfet 100v、142a、3.2mΩ

优势特征：

屏蔽栅 mosfet 技术

在 vgs = 10 v、id = 50 a 时，

最大 rds(on) = 3.5 mΩ

在 vgs = 6 v、id = 30.5 a 时，

最大 rds(on) = 5.8 mΩ

qrr 比其他 mosfet 供应商低 50%

降低开关噪声/emi

msl1 强大的封装设计

100% uil 测试

符合 rohs 标准

极低的 rds*qoss

高效率并降低开关噪声/emi

低 rds(on) 可最大限度地减少传导损耗

低 qg 和电容以最大限度地减少驱动器损耗

低 qrr、软恢复体二极管

低 qoss 提高轻载效率

应用：

本产品为一般用途，

适用于多种不同

应用程序。

隔离式 dc-dc 初级开关

交直流同步整流

高开关频率同步降压

电源

电机驱动

产品概述：

ntmfs3d2n10md：

这种 n 沟道 mv mosfet 

采用先进的 powertrench® 工艺生产，

该工艺采用了屏蔽栅极技术。

该工艺经过优化，

可最大限度地降低通态电阻，

同时保持卓越的开关性能，

同时具有非常低的 qg 和 qoss。

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