金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）600v coolmos c6系列。有了600v coolmos c6系列器件，诸如pfc（功率因数校正）级或pwm（脉宽调制）级等能源转换产品的能源效率可得到大幅提升。

c6系列是英飞凌推出的第五代coolmos金属氧化物半导体场效应晶体管（mosfet）。

全新c6技术融合了现代超结结构及包括超低单位面积导通电阻（例如采用to-220封装，电阻仅为99毫欧）在内的补偿器件的优势，同时具有更低的电容开关损耗、更简单的开关特性控制特性和更结实耐用的增强型体二极管。

coolmos c3是一个应用非常广泛的产品系列,而cp系列可满足需要最高开关速度和最低导通电阻的各种专门应用的需求。

optimos 3 75v系列，进一步壮大了英飞凌功率mosfet产品的阵容。

另外一案例，英飞凌还推出了采用to-220封装、典型导通电阻为2毫欧的高功率optimos 3 75v功率mosfet器件，可替换两颗替代性器件。

11月6日,在试验大厅对避雷器进行停电试验,在原始状态及清抹表面后均得出b相数据不合格结果,证实避雷器内部故障。

英飞凌此次新推出的optimos 3 75v功率mosfet可以帮助满足这些规范。

英飞凌的optimos 3 75v器件采用节省空间的superso8封装，相对于同类器件而言，导通电阻和品质因素分别降低40%和34%，结果可使smps的同步整流级的功率损耗降低高达10%。

为客户提供多种改进能效的解决方案，多年来一直是英飞凌的核心战略之一。

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