双通道集成式 RF 前端多芯片
发布时间:2021/12/9 15:22:00 访问次数:3519
adrf5547
双通道 3.7 ghz 至 5.3 ghz 接收器前端
优特点:
集成式双通道 rf 前端
2 级 lna 和高功率 spdt 开关
片内偏置和匹配
单电源供电
增益
高增益模式:4.6 ghz 时为 33 db(典型值)
低增益模式:4.6 ghz 时为 18 db(典型值)
低噪声指数
高增益模式:4.6 ghz 时为 1.6 db(典型值)
低增益模式:4.6 ghz 时为 1.6 db(典型值)
高通道间隔离
rxout-cha 和 rxout-chb 之间:45 db(典型值)
term-cha 和 term-chb 之间:53 db(典型值)
低插入损耗:4.6 ghz 时为 0.5 db(典型值)
tcase = 105°c 时具有高功率处理能力
整个生命周期
lte 平均功率 (9 db par):40 dbm
单一事件(运行时间 <10 秒)
lte 平均功率 (9 db par):43 dbm
高 oip3:31 dbm(典型值)
关断模式和低增益模式(针对 lna)
低电源电流
高增益模式:5 v 时为 86 ma(典型值)
低增益模式:5 v 时为 36 ma(典型值)
关断模式:5 v 时为 12 ma(典型值)
正逻辑控制
应用
无线基础设施
tdd 大规模多输入
和多输出 (mimo)
以及有源天线系统
基于 tdd 的通信系统.
产品描述:
adrf5547
是一款双通道集成式 rf 前端多芯片模块,
专为工作频率为 3.7 ghz 至 5.3 ghz
时分双工 (tdd) 应用而设计。
采用双通道配置,包含级联两级低噪声放大器 (lna)
和高功率硅单刀双掷 (spdt) 开关。
在高增益模式下,级联两级 lna 和开关
提供 1.6 db 的低噪声指数
和 33 db 的高增益(频率为 4.6 ghz)
以及 31 dbm(典型值)输出 3 阶交调点 (oip3)。
在低增益模式下,两级 lna 的一级处于旁路状态,
在 36 ma 的较低电流下提供 18 db 的增益。
在关断模式下,lna 将关闭,器件流耗为 12 ma。
在发射过程中,当 rf 输入连接到端电极引脚
(term-cha 或 term-chb)时,
该开关提供 0.50 db 的低插入损耗,
并在整个生命周期内具有 40 dbm
长期演进 (lte) 平均功率
(9 db 峰值/平均值比 (par))处理能力,
而在单一事件(<10 秒)lna 保护模式下为 43 dbm。
符合 rohs 标准
紧凑型 40 引脚
6 mm × 6 mm lfcsp 封装。
素材:analog。版权归属原作者。图片供参考
adrf5547
双通道 3.7 ghz 至 5.3 ghz 接收器前端
优特点:
集成式双通道 rf 前端
2 级 lna 和高功率 spdt 开关
片内偏置和匹配
单电源供电
增益
高增益模式:4.6 ghz 时为 33 db(典型值)
低增益模式:4.6 ghz 时为 18 db(典型值)
低噪声指数
高增益模式:4.6 ghz 时为 1.6 db(典型值)
低增益模式:4.6 ghz 时为 1.6 db(典型值)
高通道间隔离
rxout-cha 和 rxout-chb 之间:45 db(典型值)
term-cha 和 term-chb 之间:53 db(典型值)
低插入损耗:4.6 ghz 时为 0.5 db(典型值)
tcase = 105°c 时具有高功率处理能力
整个生命周期
lte 平均功率 (9 db par):40 dbm
单一事件(运行时间 <10 秒)
lte 平均功率 (9 db par):43 dbm
高 oip3:31 dbm(典型值)
关断模式和低增益模式(针对 lna)
低电源电流
高增益模式:5 v 时为 86 ma(典型值)
低增益模式:5 v 时为 36 ma(典型值)
关断模式:5 v 时为 12 ma(典型值)
正逻辑控制
应用
无线基础设施
tdd 大规模多输入
和多输出 (mimo)
以及有源天线系统
基于 tdd 的通信系统.
产品描述:
adrf5547
是一款双通道集成式 rf 前端多芯片模块,
专为工作频率为 3.7 ghz 至 5.3 ghz
时分双工 (tdd) 应用而设计。
采用双通道配置,包含级联两级低噪声放大器 (lna)
和高功率硅单刀双掷 (spdt) 开关。
在高增益模式下,级联两级 lna 和开关
提供 1.6 db 的低噪声指数
和 33 db 的高增益(频率为 4.6 ghz)
以及 31 dbm(典型值)输出 3 阶交调点 (oip3)。
在低增益模式下,两级 lna 的一级处于旁路状态,
在 36 ma 的较低电流下提供 18 db 的增益。
在关断模式下,lna 将关闭,器件流耗为 12 ma。
在发射过程中,当 rf 输入连接到端电极引脚
(term-cha 或 term-chb)时,
该开关提供 0.50 db 的低插入损耗,
并在整个生命周期内具有 40 dbm
长期演进 (lte) 平均功率
(9 db 峰值/平均值比 (par))处理能力,
而在单一事件(<10 秒)lna 保护模式下为 43 dbm。
符合 rohs 标准
紧凑型 40 引脚
6 mm × 6 mm lfcsp 封装。
素材:analog。版权归属原作者。图片供参考
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