nthl041n60s5h

功率 mosfet，n 沟道，superfet® v，

快速，600 v，57 a，41 mΩ，to-247

特性：

超低栅极电荷（典型值 qg = 108 nc）

低开关损耗

低有效输出电容（typ. coss(eff.) = 643 pf）

低开关损耗

具有稳健体二极管的快速开关性能

低开关损耗和更高的系统可靠性

650 v @ tj = 150°c

类型。 rds(on) = 32.8 m Ω

100% 雪崩测试

符合 rohs

内部栅极电阻：0.6 Ω

应用：

电信

云系统

工业的

电信电源

服务器电源

电动车充电器

太阳能 / ups

产品概述：

nthl041n60s5h

superfet v mosfet 

是安森美半导体

第五代高压超级结 (sj) mosfet 系列。

 superfet v 提供一流的 fom（rds(on)·qg

 和 rds(on)·eoss），

可以提高重载效率，还可以提高轻载效率。

 600 v superet v 系列通过降低传导

和开关损耗提供设计优势，

同时支持 120 v/ns极端 mosfet dvds/dt 额定值。

superfet v mosfet fast 系列

有助于最大限度地提高系统效率和功率密度。

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