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SUPERFET® III,快速,650 V,30 A,95 mΩ,TOLL

发布时间:2021/9/14 9:54:02 访问次数:751

ntbl095n65s3h

功率 mosfet,n 沟道,superfet® iii,快速,650 v,30 a,95 mω,toll

特性优势:

700 v @ tj = 150°c

低温运行时系统可靠性更高

无铅超薄smd封装

高功率密度

开尔文源配置

低栅极噪声和开关损耗

具有稳健体二极管的快速开关性能

低开关损耗和更高的系统可靠性

超低栅极电荷(典型值 qg = 58 nc)

更低的开关损耗

低有效输出电容(typ. coss(eff.) = 522 pf)

更低的开关损耗

湿气敏感度 1 级保证

在潮湿环境条件下的高可靠性

类型。 rds(on) = 77 m ω

100% 雪崩测试

符合 rohs

应用:

电信

云系统

工业的

电信电源

服务器电源

太阳能 / ups

电动车充电器

产品概览:

ntbl095n65s3h

superfet iii mosfet 是安森美半导体全新

高压超级结 (sj) mosfet 系列,

利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻

和更低的栅极电荷性能。

先进的技术旨在最大限度地减少传导损耗,

提供卓越的开关性能,并能承受极端的 dv/dt 率。

superfast iii fast mosfet 系列

有助于最大限度地减少各种电源系统并提高系统效率。

由于开尔文源配置和较低的寄生源电感,

toll 封装提供了改进的热性能和出色的开关性能。

 toll 提供 1 级湿度敏感度 (msl 1)。

来源:onsemi.如涉版权请联系删除.图片供参考

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功率 mosfet,n 沟道,superfet® iii,快速,650 v,30 a,95 mω,toll

特性优势:

700 v @ tj = 150°c

低温运行时系统可靠性更高

无铅超薄smd封装

高功率密度

开尔文源配置

低栅极噪声和开关损耗

具有稳健体二极管的快速开关性能

低开关损耗和更高的系统可靠性

超低栅极电荷(典型值 qg = 58 nc)

更低的开关损耗

低有效输出电容(typ. coss(eff.) = 522 pf)

更低的开关损耗

湿气敏感度 1 级保证

在潮湿环境条件下的高可靠性

类型。 rds(on) = 77 m ω

100% 雪崩测试

符合 rohs

应用:

电信

云系统

工业的

电信电源

服务器电源

太阳能 / ups

电动车充电器

产品概览:

ntbl095n65s3h

superfet iii mosfet 是安森美半导体全新

高压超级结 (sj) mosfet 系列,

利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻

和更低的栅极电荷性能。

先进的技术旨在最大限度地减少传导损耗,

提供卓越的开关性能,并能承受极端的 dv/dt 率。

superfast iii fast mosfet 系列

有助于最大限度地减少各种电源系统并提高系统效率。

由于开尔文源配置和较低的寄生源电感,

toll 封装提供了改进的热性能和出色的开关性能。

 toll 提供 1 级湿度敏感度 (msl 1)。

来源:onsemi.如涉版权请联系删除.图片供参考

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