高压供电或受电的嵌入式系统需要e-fuse和电池保护的工业设备
发布时间:2021/8/15 18:59:21 访问次数:5800
usb 支持pd的mcu,针对需要高达28 v(140 w)的高压供电或受电的嵌入式系统。该器件支持usb pd 3.1规范中定义的更大功率,并利用mcu提供额外的控制功能。
pmg1系列集成了经市场验证的usb pd协议栈,能实现可靠的性能和高互操作性。
它采用arm® cortex®-m0/m0+处理器,片内集成了高达256 kb的闪存和32 kb sram、usb 全速级外设、可编程通用输入/输出(gpio)引脚、门驱动电路、低压降(ldo)稳压器和高压保护电路。
pmg1 mcu还提供硬件和固件保护,包括过压和过流保护、短路和反向电流保护、安全固件启动和签名固件更新等。
产品种类: 仪表放大器
rohs: 详细信息
系列: pga205
通道数量: 1 channel
3db带宽: 1 mhz
sr - 转换速率 : 0.3 v/us
cmrr - 共模抑制比: 95 db
ib - 输入偏流: 2 na
vos - 输入偏置电压 : 50 uv
电源电压-最大: 36 v
电源电压-最小: 9 v
工作电源电流: 5.2 ma
最小工作温度: - 40 c
最大工作温度: + 85 c
安装风格: through hole
封装 / 箱体: pdip-16
封装: tube
放大器类型: pga
产品: instrumentation amplifiers
商标: texas instruments
关闭: no shutdown
拓扑结构: voltage feedback
en - 输入电压噪声密度: 15 nv/sqrt hz
增益误差: 0.024 %
增益v/v: 1 v/v, 2 v/v, 4 v/v, 8 v/v
inl - 积分非线性: 0.002 %
工作电源电压: 9 v to 36 v
产品类型: instrumentation amplifiers
工厂包装数量: 25
子类别: amplifier ics
vcm - 共模电压: +/- 10.5 v
单位重量: 1.054 g
80 v和100 v asfet,新器件增强了soa性能,适用于5g电信系统和48 v服务器环境中的热插拔与软启动应用以及需要e-fuse和电池保护的工业设备。
asfet是一种新型mosfet,经过优化,可用于特定应用场景。通过专注于对某一应用至关重要的特定参数,有时需要牺牲相同设计中其他较不重要的参数,以实现全新性能水平。
新款热插拔asfet将nexperia最新硅技术与铜夹片封装结构相结合,显著增强安全工作区(soa)并最大限度缩小pcb面积。
以前,mosfet深受spirito效应的影响,导致soa性能因在较高电压下的热不稳定性而迅速下降。nexperia坚固耐用的增强型soa技术消除了“spirito-knee”,与前几代d2pak相比,在50 v时soa增加了166%。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
usb 支持pd的mcu,针对需要高达28 v(140 w)的高压供电或受电的嵌入式系统。该器件支持usb pd 3.1规范中定义的更大功率,并利用mcu提供额外的控制功能。
pmg1系列集成了经市场验证的usb pd协议栈,能实现可靠的性能和高互操作性。
它采用arm® cortex®-m0/m0+处理器,片内集成了高达256 kb的闪存和32 kb sram、usb 全速级外设、可编程通用输入/输出(gpio)引脚、门驱动电路、低压降(ldo)稳压器和高压保护电路。
pmg1 mcu还提供硬件和固件保护,包括过压和过流保护、短路和反向电流保护、安全固件启动和签名固件更新等。
产品种类: 仪表放大器
rohs: 详细信息
系列: pga205
通道数量: 1 channel
3db带宽: 1 mhz
sr - 转换速率 : 0.3 v/us
cmrr - 共模抑制比: 95 db
ib - 输入偏流: 2 na
vos - 输入偏置电压 : 50 uv
电源电压-最大: 36 v
电源电压-最小: 9 v
工作电源电流: 5.2 ma
最小工作温度: - 40 c
最大工作温度: + 85 c
安装风格: through hole
封装 / 箱体: pdip-16
封装: tube
放大器类型: pga
产品: instrumentation amplifiers
商标: texas instruments
关闭: no shutdown
拓扑结构: voltage feedback
en - 输入电压噪声密度: 15 nv/sqrt hz
增益误差: 0.024 %
增益v/v: 1 v/v, 2 v/v, 4 v/v, 8 v/v
inl - 积分非线性: 0.002 %
工作电源电压: 9 v to 36 v
产品类型: instrumentation amplifiers
工厂包装数量: 25
子类别: amplifier ics
vcm - 共模电压: +/- 10.5 v
单位重量: 1.054 g
80 v和100 v asfet,新器件增强了soa性能,适用于5g电信系统和48 v服务器环境中的热插拔与软启动应用以及需要e-fuse和电池保护的工业设备。
asfet是一种新型mosfet,经过优化,可用于特定应用场景。通过专注于对某一应用至关重要的特定参数,有时需要牺牲相同设计中其他较不重要的参数,以实现全新性能水平。
新款热插拔asfet将nexperia最新硅技术与铜夹片封装结构相结合,显著增强安全工作区(soa)并最大限度缩小pcb面积。
以前,mosfet深受spirito效应的影响,导致soa性能因在较高电压下的热不稳定性而迅速下降。nexperia坚固耐用的增强型soa技术消除了“spirito-knee”,与前几代d2pak相比,在50 v时soa增加了166%。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
热门点击
- R-Car Gen3 SoC完全兼容并易于集成降低开路和短路风险
- 汽车的2.7V-5.5V输入的同步降压DC/DC转换器降低过冲电流
- Bravera SC5固态硬盘控制器支持实现下一代超大规模的技术
- NVMe 1.4b的固态硬盘控制器PI2DBS16212A的运作电压为
- USB-A双头设计的USB 3.2 Gen 1闪存盘开发和部署最先进的
- ATX PS2冗余电源供应器的瓦数是否有机会再提升且不能增加目前尺寸
- 激光雷达LiDAR系统Dynamic四位甚至八位实现电流传输能力
- 频率和驱动强度可编程性AIF06ZPFC电源模块配备监控
- 3.3KW PFC模块电路测试中配合7nV/√Hz超低输入电压噪声密度
- 射频(RF)捷变收发器电路效率和实现小型化的电流检测解决方案
推荐电子资讯
- Chrome 31:iOS版发布
- iOS版Chrome 31主要更新: “Au... [详细]