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高压供电或受电的嵌入式系统需要e-fuse和电池保护的工业设备

发布时间:2021/8/15 18:59:21 访问次数:5800

usb 支持pd的mcu,针对需要高达28 v(140 w)的高压供电或受电的嵌入式系统。该器件支持usb pd 3.1规范中定义的更大功率,并利用mcu提供额外的控制功能。

pmg1系列集成了经市场验证的usb pd协议栈,能实现可靠的性能和高互操作性。

它采用arm® cortex®-m0/m0+处理器,片内集成了高达256 kb的闪存和32 kb sram、usb 全速级外设、可编程通用输入/输出(gpio)引脚、门驱动电路、低压降(ldo)稳压器和高压保护电路。

pmg1 mcu还提供硬件和固件保护,包括过压和过流保护、短路和反向电流保护、安全固件启动和签名固件更新等。

制造商: texas instruments

产品种类: 仪表放大器

rohs: 详细信息

系列: pga205

通道数量: 1 channel

3db带宽: 1 mhz

sr - 转换速率 : 0.3 v/us

cmrr - 共模抑制比: 95 db

ib - 输入偏流: 2 na

vos - 输入偏置电压 : 50 uv

电源电压-最大: 36 v

电源电压-最小: 9 v

工作电源电流: 5.2 ma

最小工作温度: - 40 c

最大工作温度: + 85 c

安装风格: through hole

封装 / 箱体: pdip-16

封装: tube

放大器类型: pga

产品: instrumentation amplifiers

商标: texas instruments

关闭: no shutdown

拓扑结构: voltage feedback

en - 输入电压噪声密度: 15 nv/sqrt hz

增益误差: 0.024 %

增益v/v: 1 v/v, 2 v/v, 4 v/v, 8 v/v

inl - 积分非线性: 0.002 %

工作电源电压: 9 v to 36 v

产品类型: instrumentation amplifiers

工厂包装数量: 25

子类别: amplifier ics

vcm - 共模电压: +/- 10.5 v

单位重量: 1.054 g

80 v和100 v asfet,新器件增强了soa性能,适用于5g电信系统和48 v服务器环境中的热插拔与软启动应用以及需要e-fuse和电池保护的工业设备。

asfet是一种新型mosfet,经过优化,可用于特定应用场景。通过专注于对某一应用至关重要的特定参数,有时需要牺牲相同设计中其他较不重要的参数,以实现全新性能水平。

新款热插拔asfet将nexperia最新硅技术与铜夹片封装结构相结合,显著增强安全工作区(soa)并最大限度缩小pcb面积。

以前,mosfet深受spirito效应的影响,导致soa性能因在较高电压下的热不稳定性而迅速下降。nexperia坚固耐用的增强型soa技术消除了“spirito-knee”,与前几代d2pak相比,在50 v时soa增加了166%。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

usb 支持pd的mcu,针对需要高达28 v(140 w)的高压供电或受电的嵌入式系统。该器件支持usb pd 3.1规范中定义的更大功率,并利用mcu提供额外的控制功能。

pmg1系列集成了经市场验证的usb pd协议栈,能实现可靠的性能和高互操作性。

它采用arm® cortex®-m0/m0+处理器,片内集成了高达256 kb的闪存和32 kb sram、usb 全速级外设、可编程通用输入/输出(gpio)引脚、门驱动电路、低压降(ldo)稳压器和高压保护电路。

pmg1 mcu还提供硬件和固件保护,包括过压和过流保护、短路和反向电流保护、安全固件启动和签名固件更新等。

制造商: texas instruments

产品种类: 仪表放大器

rohs: 详细信息

系列: pga205

通道数量: 1 channel

3db带宽: 1 mhz

sr - 转换速率 : 0.3 v/us

cmrr - 共模抑制比: 95 db

ib - 输入偏流: 2 na

vos - 输入偏置电压 : 50 uv

电源电压-最大: 36 v

电源电压-最小: 9 v

工作电源电流: 5.2 ma

最小工作温度: - 40 c

最大工作温度: + 85 c

安装风格: through hole

封装 / 箱体: pdip-16

封装: tube

放大器类型: pga

产品: instrumentation amplifiers

商标: texas instruments

关闭: no shutdown

拓扑结构: voltage feedback

en - 输入电压噪声密度: 15 nv/sqrt hz

增益误差: 0.024 %

增益v/v: 1 v/v, 2 v/v, 4 v/v, 8 v/v

inl - 积分非线性: 0.002 %

工作电源电压: 9 v to 36 v

产品类型: instrumentation amplifiers

工厂包装数量: 25

子类别: amplifier ics

vcm - 共模电压: +/- 10.5 v

单位重量: 1.054 g

80 v和100 v asfet,新器件增强了soa性能,适用于5g电信系统和48 v服务器环境中的热插拔与软启动应用以及需要e-fuse和电池保护的工业设备。

asfet是一种新型mosfet,经过优化,可用于特定应用场景。通过专注于对某一应用至关重要的特定参数,有时需要牺牲相同设计中其他较不重要的参数,以实现全新性能水平。

新款热插拔asfet将nexperia最新硅技术与铜夹片封装结构相结合,显著增强安全工作区(soa)并最大限度缩小pcb面积。

以前,mosfet深受spirito效应的影响,导致soa性能因在较高电压下的热不稳定性而迅速下降。nexperia坚固耐用的增强型soa技术消除了“spirito-knee”,与前几代d2pak相比,在50 v时soa增加了166%。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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