这个电路有以下几个要求：

运放需要使用正向放大拓扑结构。原因是热电堆传感器本身内阻较高，所以需要传感器接口电路必须是高阻输入。而运放只有在正向放大电路的拓扑结构下（如使用仪表放大器，其输入级可看作两个正向放大运放）才能保证高阻输入。

需要偏置到大于 0v 的正电压。而对于热电堆传感器来讲，当测量目标温度小于环境温度时，其输出是小于零的负电压。这就需要把热电堆传感器的输出负偏置到一个大于零伏的正电压，才能保证热电堆的输出信号上的电压大于 0v，并且可以被单极性供电的运放（正向放大拓扑）所接受。然而，由于处理器内部的 adc（尤其式低功耗+低成本的处理器），一般是单端输入，范围为 0~vref 电压的 sar 型 adc，所以偏置电压本身的稳定度就变得很重要。

运放自身的偏置（offset）要很小，其全环境温度测量范围内的偏置温漂需要<=1uv。原因是热电堆传感器对应目标温度 0.1°c 的分辨率其相应电压变化量才几个 uv，运放自身偏置带来的影响必须小于这个值。

微机电系统（mems）振荡器呈现出极大的需求。本文将讨论各类汽车应用中出现的这一新兴需求，并解释mems与晶振之间的差异。此外，还将介绍一类全新的汽车级mems振荡器，这类振荡器可满足大多数时间关键型应用的需求，并能为所有应用带来更高的可靠性。

新兴汽车应用的新需求

汽车通常都会搭载高级驾驶辅助系统（adas）（包括车载摄像头、超声波感应、lidar和雷达）、信息娱乐系统以及车载网络等等，而这一切都需要依赖精确的时序。尽管mems振荡器投产并应用于汽车领域的时间已长达十多年之久，但搭载adas的自动驾驶汽车需要更为强大的功能，普通的时间同步器件显然已无法胜任。

显示了这些mems振荡器中集成的模块。

mems振荡器中的各个模块完美结合，在整个温度范围内实现了稳定的时钟频率。

显示了dsa2311双输出mems振荡器如何同时为两个元件提供时钟。

microchip符合汽车标准的1级mems振荡器及其特性。

在pcb上，ic的可靠性最高。但包括晶振在内的其他元件均尚未达到这一基准水平。mems振荡器已将振荡器的可靠性提升至ic水平，这对汽车客户来说大有裨益。自动驾驶等应用通常需要达到最高级别的可靠性，mems振荡器解决方案成为了汽车供应商的最佳选择。

使用mems振荡器来取代晶振，不妨再看看mems振荡器所具备的诸多优势：更高的频率稳定性、节省空间、支持更高的温度以及出色的抗冲击和振动能力等等。已有越来越多的汽车制造商因看重这些优势而转为采用全新的mems振荡器技术。