单片微波集成电路高电子迁移率晶体管

发布时间:2020/7/14 14:13:54 访问次数:1916

hmc8412

低噪声放大器，

0.4 ghz至11 ghz

功能：

低噪声系数：典型值为1.4 db

单正电源（自偏置）

高增益：典型值≤15.5db

高oip3：典型值≤33dbm

应用：

测试仪器

电信

军事雷达与通信电子战

航天

产品描述：

hmc8412

是砷化镓（gaas），

单片微波集成电路（mmic），

伪型高电子迁移率晶体管（phemt），

低噪声宽带放大器，

工作频率为0.4 ghz至11 ghz。

提供的典型增益为15.5 db，

典型的噪声系数为1.4 db，

典型的输出三阶截距（oip3）≤33dbm，

从5 v漏极电源电压

仅需要60 ma的电流。

典型的饱和输出功率（psat）≤20.5 dbm，

使低噪声放大器（lna）

可以用作许多analog devices，inc.，

平衡，同相和正交（i / q）

图像的本地振荡器（lo）

驱动器拒绝混频器。

具有内部匹配至50Ω的输入和输出，

使该器件非常适合

基于表面贴装技术（smt）

大容量微波无线电应用。

rohs

2 mm×2 mm

6引脚

lfcsp。

(素材：analog.如涉版权请联系删除）

hmc8412

低噪声放大器，

0.4 ghz至11 ghz

功能：

低噪声系数：典型值为1.4 db

单正电源（自偏置）

高增益：典型值≤15.5db

高oip3：典型值≤33dbm

应用：

测试仪器

电信

军事雷达与通信电子战

航天

产品描述：

hmc8412

是砷化镓（gaas），

单片微波集成电路（mmic），

伪型高电子迁移率晶体管（phemt），

低噪声宽带放大器，

工作频率为0.4 ghz至11 ghz。

提供的典型增益为15.5 db，

典型的噪声系数为1.4 db，

典型的输出三阶截距（oip3）≤33dbm，

从5 v漏极电源电压

仅需要60 ma的电流。

典型的饱和输出功率（psat）≤20.5 dbm，

使低噪声放大器（lna）

可以用作许多analog devices，inc.，

平衡，同相和正交（i / q）

图像的本地振荡器（lo）

驱动器拒绝混频器。

具有内部匹配至50Ω的输入和输出，

使该器件非常适合

基于表面贴装技术（smt）

大容量微波无线电应用。

rohs

2 mm×2 mm

6引脚

lfcsp。

(素材：analog.如涉版权请联系删除）

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单片微波集成电路高电子迁移率晶体管

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