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MOSFET漏极至源极37V汽车半桥智能栅极驱动

发布时间:2020/7/10 10:04:46 访问次数:2337

drv8106-q1


具有串联电流检测放大器

37v汽车半桥智能栅极驱动器


51电子网公益库存:
AS432B2VS7
AS432BR5LPB
AS432BR25VS7
AS432B2LPA
AS432BR25LPA
AS432BR25LPB
AS432B1LPA
AS432B1VS7
AS432B1LPB
ADM1385ARSZ-REEL7
HFA3861BIN
XC6219C302MR
XC6219B182MR
TIP127
XC6219A332MR
XC6219D332MR
MAX809SD
MAX809JEUR+T
MAX8887EZK33+T
MAX3232ECDRG4
BL1117C-33DX
BL1117-18CX
BL1117-50CX
BL1117-25CX
BL1117-12CX
BL1117C-33CX
BL1117-33CX
BL1117C-50AX
ADM232AARN-REEL
ADM232AARNZ-REEL
MAX809STRG
MIC809RUY
STM809SWX6F
APX809-29SAG-7
TCM809SVNB713
TCM809SENB713
GL809-3.3ST23R
MAX809REUR+T
LM809M3X-2.93/NOPB
IMP809JEUR
MAX809SN232T1G
BL1117C-33AX
BL1117C-50DX
BL1117-ADJCX
BL1117C-33DX
BL1117-CX
















功效:

符合aec-q100的汽车应用要求:

温度等级1: 40°c至+ 125°c,ta

半桥智能栅极驱动器

4.9v至37v(最大40v绝对)工作范围

倍增器电荷泵,用于100%pwm

智能门驱动架构

可调摆率控制



mosfet漏极至源极和栅极监控器

宽共模电流并联放大器

支持嵌入式,高端或低端

可调增益设置(10、20、40、80 v / v)

集成反馈电阻

可调pwm消隐方案

提供多种接口选项

spi:详细的配置和诊断

硬件:简化控制,mcu引脚更少

扩频时钟可降低emi

紧凑的vqfn封装,

带有可润湿的侧面

集成保护功能

专用驱动器禁用引脚(drvoff


产品概述:

drv8106-q1

是高度集成的半桥栅极驱动器,

能够驱动高端和低端n沟道功率mosfet。

使用一个集成的倍增电荷泵(用于高端)

一个线性稳压器(用于低端)

来产生适当的栅极驱动电压。

该器件采用智能栅极驱动架构,

以降低系统成本并提高可靠性。

栅极驱动器

可优化死区时间以避免直通情况,

通过可调节的栅极驱动电流

提供控制以减少电磁干扰(emi),

并通过vds和vgs监视器

防止漏极到源极和栅极的短路情况。

宽的共模并联放大器提供在线电流检测功能,

即使在循环窗口期间也可以连续测量电动机电流。

如果不需要在线检测,

则该放大器可用于低端或高端检测配置。

提供了一系列保护功能,

以确保系统稳定运行。

包括用于电源和电荷泵的欠压和过压监控器,

用于外部mosfet的vds过流

vgs栅极故障监控器,

离线断开负载和短路诊断

以及内部热警告和停机保护。

(素材:texasinstruments如涉版权请联系删除)



drv8106-q1


具有串联电流检测放大器

37v汽车半桥智能栅极驱动器


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MAX8887EZK33+T
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STM809SWX6F
A809-29SAG-7
TCM809SVNB713
TCM809SENB713
GL809-3.3ST23R
MAX809REUR+T
LM809M3X-2.93/NOPB
IMP809JEUR
MAX809SN232T1G
BL1117C-33AX
BL1117C-50DX
BL1117-ADJCX
BL1117C-33DX
BL1117-CX
















功效:

符合aec-q100的汽车应用要求:

温度等级1: 40°c至+ 125°c,ta

半桥智能栅极驱动器

4.9v至37v(最大40v绝对)工作范围

倍增器电荷泵,用于100%pwm

智能门驱动架构

可调摆率控制



mosfet漏极至源极和栅极监控器

宽共模电流并联放大器

支持嵌入式,高端或低端

可调增益设置(10、20、40、80 v / v)

集成反馈电阻

可调pwm消隐方案

提供多种接口选项

spi:详细的配置和诊断

硬件:简化控制,mcu引脚更少

扩频时钟可降低emi

紧凑的vqfn封装,

带有可润湿的侧面

集成保护功能

专用驱动器禁用引脚(drvoff


产品概述:

drv8106-q1

是高度集成的半桥栅极驱动器,

能够驱动高端和低端n沟道功率mosfet。

使用一个集成的倍增电荷泵(用于高端)

一个线性稳压器(用于低端)

来产生适当的栅极驱动电压。

该器件采用智能栅极驱动架构,

以降低系统成本并提高可靠性。

栅极驱动器

可优化死区时间以避免直通情况,

通过可调节的栅极驱动电流

提供控制以减少电磁干扰(emi),

并通过vds和vgs监视器

防止漏极到源极和栅极的短路情况。

宽的共模并联放大器提供在线电流检测功能,

即使在循环窗口期间也可以连续测量电动机电流。

如果不需要在线检测,

则该放大器可用于低端或高端检测配置。

提供了一系列保护功能,

以确保系统稳定运行。

包括用于电源和电荷泵的欠压和过压监控器,

用于外部mosfet的vds过流

vgs栅极故障监控器,

离线断开负载和短路诊断

以及内部热警告和停机保护。

(素材:texasinstruments如涉版权请联系删除)



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