低频分量的幅值变化

发布时间:2020/4/9 22:10:02 访问次数:1893

ts3v912bid制造商: rohm semiconductor

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(bjt)

rohs: 详细信息

安装风格: smd/smt

封装 / 箱体: sc-59-3

晶体管极性: npn

配置: single

集电极—发射极最大电压 vceo: 300 v

集电极—基极电压 vcbo: 300 v

发射极 - 基极电压 vebo: 5 v

集电极—射极饱和电压: 2 v

最大直流电集电极电流: 0.1 a

pd-功率耗散: 200 mw

增益带宽产品ft: 100 mhz

最大工作温度: + 150 c

系列: 2sc4061k

封装: cut tape

封装: mousereel

封装: reel

直流电流增益 hfe 最大值: 120

高度: 1.1 mm

长度: 2.9 mm

技术: si

宽度: 1.6 mm

商标: rohm semiconductor

集电极连续电流: 0.1 a

直流集电极/base gain hfe min: 56

产品类型: bjts - bipolar transistors

工厂包装数量: 3000

子类别: transistors

零件号别名: 2sc4061k

单位重量: 8 mg

纳米对pwm电机系统漏电流相关特性进行了研究。建立了正常漏电流计算模型，并对其流通路径进行了分析。然后对电机系统的漏电故障点及相应故障后的漏电流波形进行了分析。通过试验测试对电机系统故障发生前后的正常/混合漏电流时频特性进行了分析和研究，具体结论如下：

pwm电机系统电机输入侧正常漏电流的有效值与对地分布电容的容值呈正比例关系，正常漏电流主要包含直流分量和高频分量，其中高频分量主要为逆变器开关频率及其倍频分量。

pwm电机系统电机输入侧存在漏电故障时，混合漏电流有效值相应增大。其中，低频分量的幅值变化可作为是否发生漏电故障的判断依据。

两款相同的光子处理器晶片，内含超过7,000万颗电晶体——每一款晶片中都包含了双核心risc-v处理器核心、850个光收发器以及1mb记忆体——从而验证了光学链路的能力。这项测试是在其中一款ic的核心上执行程式码，但利用另一款ic的记忆体，二者之间由光学链路连接。透过功率分配器，单一雷射光源照射每个晶片上的环形调变收发器，而经调节的光源则经由光学放大器路由至另一晶片的接收器。在每一个ic、处理器核心与记忆体阵列都有各自专用的电光收发器位置。完整的ic尺寸为3 x 6 mm。