9p50594b在场效应管漏源电压保持不变的情况下,从图8-4中可以得出以下结论:栅源电压ugs=0时,漏极电流d=dss。栅源电压ugs向负值方向变化时,漏极电流id逐渐减小。栅源电压ugs=up时,漏极电流jd=0。dss称为饱和漏极电流,up称为夹断电压。

输出特性曲线 输出特性曲线是表示在栅源电压一定条件下,漏极电流与漏源电压之间的关系,如图8-5所示。电阻区、放大击穿区、截止区。

由场效应管组成的放大电路中,场效应管必须工作在放大区,即必须采用合适的直流电流将其工作点(uds,rd)设置于输出特性曲线的放大区或恒流区,且保持稳定。与三极管放大电路相类

似,场效应管放大电路有共源、共漏、共栅=种接法。

绝缘栅型场效应管，绝缘栅场效应管是一种栅极与源极、漏极之间有绝缘层的场效应管,简称mos管。绝缘栅场效应管也有n沟道型及p沟道型两种结构形式。无论是n沟道型或p沟道型,都有增强型和耗尽型两种。

n沟道增强型绝缘栅场效应管 以p型硅片作为衬底.其间扩散两个高掺杂的n・区并引出两个电极,作为源极s和漏级d。制作场效应管时先在半导体上制作sio2绝缘层,之后在sio2上制作

一层金属铝,引出电极作为栅极g,此时的p型半导体称为衬底b。

n沟道增强型绝缘栅场效应管的结构及符号如图8-6所示。

图8-6 n沟道增强型绝缘栅场效应管的结构及符号场效应管可看作一个受栅源电压控制的可当yds增剧增,出现电击穿。如果对此不加限制,将损坏场效应管。不允许场效应管工作在这个区域恒流区场效应管在恒流区具有线性放大作用间的电流1d=0。

当lgs)0,在绝缘层和衬底之间表面形成一层耗尽层,但负离子不能导电。ugs=ut时,漏极和源极之间产生导电沟道。在漏、源极之间加正向电压uds时,将会产生电流rd。

在uds>0时,有三种情况存在,其结果如下:若ugs(ut,耗尽层消失,无导电沟道,id为0;若ligs)ut,出现导电沟道,d、s之间有电流jd流过;若ugs逐渐增大,沟道加厚,沟道电阻减少,jd也随之逐渐增大,即ugs控制d的变化。

n沟道耗尽型mos场效应管应管结构及符号如图8-8所示。

图8-8 n沟道耗尽型绝缘栅场效应管结构及符号当ugs=0时,uds加正向电压,产生漏极电流id,此时的漏极电流称为漏极饱和电流,用dss表示。

当ugs)0时,将使id进一步增加。当ligs(0时,随着uds的减小漏极电流逐渐减小.直ii)==0。