ADRF5300低电压晶体管-晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容控制
发布时间:2019/8/29 16:12:29 访问次数:21739
24 ghz 至 32 ghz 硅 spdt 反射开关
- 51电子网公益库存:
- LM361N
- LM7805CT
- SN74LS132
- LM324
- TL082
- ULN2803A
- PTD08A210WAC
- ULN2803
- KBP210
- CNY17-1
- TL082CN
- UC3709
- CR6848T
- G3VM-61D1
- TC4420CPA
- G5V-1-12VDC
- G5LE-14-DC24V
- G5LA-14-12VDC
- G2R-2 12VDC
- LFU6831L
- FU6812
- FU6831N
- FU6831Q
- ULN2803
- KBP210
- CNY17-1
- TL082CN
- UC3709
- CR6848T
- G3VM-61D1
- G5V-1-12VDC
应用
工业扫描仪
测试仪器仪表
蜂窝基础设施毫米波 5g
军用无线电、雷达和电子对抗 (ecm)
微波无线电和甚小孔径终端 (vsat)
功能:
反射式设计
低插入损耗:30 ghz 时为 1.1 db
高隔离:30 ghz 时为 38 db
高输入线性度
0.1 db 功率压缩 (p0.1db):37 dbm
3 阶交调点 (ip3):52 dbm
高 rf 功率处理能力
平均值为 28 dbm
峰值为 36 dbm
特点:
单电源供电:3.3 v
内部负电压发生器
rf 建立时间(0.1 db 最终 rf 输出):65 ns
20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列封装
引脚与 adrf5301 兼容:35 ghz 至 44 ghz
产品详解:
是一款利用硅工艺制造的反射式单刀双掷 (spdt) 开关。
adrf5300 专为 24 ghz 至 32 ghz 的 5g 应用而开发。
adrf5300 器件具有 1.1 db 的低插入损耗、
38 db 的高隔离以及 28 dbm 平均值
和 36 dbm 峰值射频 (rf) 输入功率处理能力。
adrf5300 包含一个负电压发生器 (nvg),
由施加到 vdd 引脚的 3.3 v 单一正电源供电。
该器件采用互补金属氧化物半导体 (cmos)
和低电压晶体管-晶体管逻辑 (lvttl) 兼容控制。
adrf5300 的引脚与 adrf5301 兼容,
后者在 35 ghz 至 44 ghz 的频率范围内工作。
adrf5300
采用符合 rohs 标准的 20 端子
3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列 (lga) 封装,
并可在 −40°c 至 +105°c 的温度范围内工作。
24 ghz 至 32 ghz 硅 spdt 反射开关
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工业扫描仪
测试仪器仪表
蜂窝基础设施毫米波 5g
军用无线电、雷达和电子对抗 (ecm)
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功能:
反射式设计
低插入损耗:30 ghz 时为 1.1 db
高隔离:30 ghz 时为 38 db
高输入线性度
0.1 db 功率压缩 (p0.1db):37 dbm
3 阶交调点 (ip3):52 dbm
高 rf 功率处理能力
平均值为 28 dbm
峰值为 36 dbm
特点:
单电源供电:3.3 v
内部负电压发生器
rf 建立时间(0.1 db 最终 rf 输出):65 ns
20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列封装
引脚与 adrf5301 兼容:35 ghz 至 44 ghz
产品详解:
是一款利用硅工艺制造的反射式单刀双掷 (spdt) 开关。
adrf5300 专为 24 ghz 至 32 ghz 的 5g 应用而开发。
adrf5300 器件具有 1.1 db 的低插入损耗、
38 db 的高隔离以及 28 dbm 平均值
和 36 dbm 峰值射频 (rf) 输入功率处理能力。
adrf5300 包含一个负电压发生器 (nvg),
由施加到 vdd 引脚的 3.3 v 单一正电源供电。
该器件采用互补金属氧化物半导体 (cmos)
和低电压晶体管-晶体管逻辑 (lvttl) 兼容控制。
adrf5300 的引脚与 adrf5301 兼容,
后者在 35 ghz 至 44 ghz 的频率范围内工作。
adrf5300
采用符合 rohs 标准的 20 端子
3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列 (lga) 封装,
并可在 −40°c 至 +105°c 的温度范围内工作。
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