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ADRF5300低电压晶体管-晶体管逻辑 (LVTTL) 兼容控制

发布时间:2019/8/29 16:12:29 访问次数:21739

adrf5300

24 ghz 至 32 ghz 硅 spdt 反射开关


51电子网公益库存:
LM361N
LM7805CT
SN74LS132
LM324
TL082
ULN2803A
PTD08A210WAC
ULN2803
KBP210
CNY17-1
TL082CN
UC3709
CR6848T
G3VM-61D1 
TC4420CPA
G5V-1-12VDC
G5LE-14-DC24V
G5LA-14-12VDC
G2R-2 12VDC
LFU6831L
FU6812
FU6831N
FU6831Q
ULN2803
KBP210
CNY17-1
TL082CN
UC3709
CR6848T
G3VM-61D1 
G5V-1-12VDC










应用

工业扫描仪

测试仪器仪表

蜂窝基础设施毫米波 5g

军用无线电、雷达和电子对抗 (ecm)

微波无线电和甚小孔径终端 (vsat)

功能:

反射式设计

低插入损耗:30 ghz 时为 1.1 db

高隔离:30 ghz 时为 38 db

高输入线性度

0.1 db 功率压缩 (p0.1db):37 dbm

3 阶交调点 (ip3):52 dbm

高 rf 功率处理能力

平均值为 28 dbm

峰值为 36 dbm

特点:

单电源供电:3.3 v

内部负电压发生器

rf 建立时间(0.1 db 最终 rf 输出):65 ns

20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列封装

引脚与 adrf5301 兼容:35 ghz 至 44 ghz











产品详解:

adrf5300 

是一款利用硅工艺制造的反射式单刀双掷 (spdt) 开关。

adrf5300 专为 24 ghz 至 32 ghz 的 5g 应用而开发。

adrf5300 器件具有 1.1 db 的低插入损耗、

38 db 的高隔离以及 28 dbm 平均值

和 36 dbm 峰值射频 (rf) 输入功率处理能力。

adrf5300 包含一个负电压发生器 (nvg),

由施加到 vdd 引脚的 3.3 v 单一正电源供电。

该器件采用互补金属氧化物半导体 (cmos)

 和低电压晶体管-晶体管逻辑 (lvttl) 兼容控制。

adrf5300 的引脚与 adrf5301 兼容,

后者在 35 ghz 至 44 ghz 的频率范围内工作。

adrf5300 

采用符合 rohs 标准的 20 端子

 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列 (lga) 封装,

并可在 −40°c 至 +105°c 的温度范围内工作。


(素材来源:analog.如涉版权请联系删除。特别感谢)


adrf5300

24 ghz 至 32 ghz 硅 spdt 反射开关


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功能:

反射式设计

低插入损耗:30 ghz 时为 1.1 db

高隔离:30 ghz 时为 38 db

高输入线性度

0.1 db 功率压缩 (p0.1db):37 dbm

3 阶交调点 (ip3):52 dbm

高 rf 功率处理能力

平均值为 28 dbm

峰值为 36 dbm

特点:

单电源供电:3.3 v

内部负电压发生器

rf 建立时间(0.1 db 最终 rf 输出):65 ns

20 端子 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列封装

引脚与 adrf5301 兼容:35 ghz 至 44 ghz











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是一款利用硅工艺制造的反射式单刀双掷 (spdt) 开关。

adrf5300 专为 24 ghz 至 32 ghz 的 5g 应用而开发。

adrf5300 器件具有 1.1 db 的低插入损耗、

38 db 的高隔离以及 28 dbm 平均值

和 36 dbm 峰值射频 (rf) 输入功率处理能力。

adrf5300 包含一个负电压发生器 (nvg),

由施加到 vdd 引脚的 3.3 v 单一正电源供电。

该器件采用互补金属氧化物半导体 (cmos)

 和低电压晶体管-晶体管逻辑 (lvttl) 兼容控制。

adrf5300 的引脚与 adrf5301 兼容,

后者在 35 ghz 至 44 ghz 的频率范围内工作。

adrf5300 

采用符合 rohs 标准的 20 端子

 3 mm × 3 mm 岸面栅格阵列 (lga) 封装,

并可在 −40°c 至 +105°c 的温度范围内工作。


(素材来源:analog.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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