三星将分别透过口头简报以及海报展示双管齐下的方式，

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介绍在28nm cmos逻辑制造制程中嵌入8mbit自旋传输(stt) mram等主题。在该公司发表的论文主题中，研究人员们将这种电路形容为具有“高度功能性且十分可靠”。在其摘要中并补充：该公司采用包括创新整合、材料堆叠与图案化技术等途径，成功地将垂直式磁穿隧接面(pmtj)记忆体单元阵列嵌入于铜金属后端，而不至于发生开路故障，同时，磁性能也并未发生严重退化现象。

这种pmtj记忆体单元采用氧化镁/钴铁硼(mgo/cofeb)堆叠，可在完全整合后达到180%的穿隧磁阻值。离子束蚀刻技术用于降低至低于1ppm的短路故障;有趣的是看到离子束蚀刻技术对于生产吞吐量的影响。此外，嵌入式mram巨集具有侧面感应边界限制，资讯储存在摄氏85度下可保留达10年。

依据制造经济来看，这可能是针对低功耗微控制器(mcu)和soc进行选择的过程，因为它们具有切换和保留资料的能力。

从独立式记忆体端来看，海力士与东芝的研发团队预计将在iedm上发表首款4gbit stt-mram。其发展是根据面积为9f2的记忆体单元，十分接近于dram记忆体的尺寸。该设计针对高隧电阻比而最佳化其pmtj，因而需要低开关电流。此外，研究团队也将介绍克服与制程有关缺陷导致写入错误的各种技术。

everspin technologies inc.在今年的electronica展示基于1gbit pmtj的mram。

同样值得注意的是，美国加州大学洛杉矶分校电子工程系教授pedram khalili-amiri也是这款mram技术的共同作者。该主题并介绍电场控制mram与mram的电压控制等。

pedram khalili-amiri同时也是inston公司的共同创办人与技术长。inston公司获得了两笔小型企业创新研究(sbir)的赞助;其一是在2013年获得149,000美元，进行电场控制磁记忆元件的研究——其非挥发性记忆体位元的切换是由电压(而非自旋极化电流或磁场)进行，用于极低能量耗散的应用。

这些记忆体元件将用于磁电随机存取存记忆体(meram)，据称将可提供明显优于stt-mram的优势、高达100倍的能量效率、高达10倍的密度，以及低于10nm的可扩展性。

其次是2014年的一笔749,000美元赞助经费，用于开发电场控制非挥发性磁记忆体晶片与阵列的原型。

包括三星、东芝、海力士等公司的研究团队将在iedm发表有关mram的最新发展。

在今年即将于美国加州举行的国际电子元件会议(iedm)上，来自三星(samsung)、东芝(toshiba)、海力士(sk hynix)等公司的研究团队预计将发表多项有关磁阻式随机存取记忆体(mram)的最新发展。

三星的研发团队以及旗下lsi业务部门显然也将再次发表其致力于开发mems的最新成果。