英特尔公司（intel corporation）和美光科技股份有限公司（micron technology inc.）日前宣布，双方依靠其获奖的34纳米nand工艺，推出每单元储存3比特（3-bit-per-cell，简称3bps）的多层单元（mlc）nand技术试用产品。这些芯片最适合用于闪存卡和usb驱动器等消费存储设备，在这类应用场合中，高密度和性价比是首要考虑的问题。

　　双方组建的nand闪存合资企业im flash technologies公司（imft）开发了3bpc nand新技术，并利用这项技术生产出了目前市场上尺寸最小、性价比最高的32gb芯片。32gb 3bpc nand芯片面积为126mm²，将于2009年第四季度投入量产。两家公司不断致力于新的工艺微缩（process shrink）研发，现在推出的3bpc nand技术是其产品战略的重要组成部分，也是为关键细分市场服务的有效途径。

　　美光公司内存事业部副总裁brian shirley说，“我们把3bpc nand技术看作路线图的重要组成部分。我们也会继续推进n and工艺微缩的研发，从而在今后若干年为客户提供世界一流的产品组合。今天发布的消息进一步表明，美光和英特尔在34纳米nand技术方面已经取得了重大的进展。我们盼望今年晚些时候推出2xnm技术。”

　　英特尔公司副总裁、英特尔nand解决方案事业部总经理randy wilhelm说，“我们走向3bpc技术，这是英特尔和美光在34纳米nand开发过程中取得突出进展的又一个证明。这一里程碑为我们在2xnm硅加工工艺方面保持领先地位奠定了基础，而这种2xnm工艺将有助于为客户节省成本，拓展我们nand解决方案的功能。”