日本ic产业最近流行重组，其中富士通(fujitsu)计划分拆其亏损的半导体部门。该公司还将把它的先进工艺及产品活动转移到一个新的地点，为此将提列9,360万美元的费用。

　　富士通表示，将在3月组建一个新的芯片子公司。作为富士通lsi业务改革方案的组成部分，面向90纳米及更先进节点的工艺技术与产品开发活动，将转移到该公司的300毫米mie工艺，此前这些工作一直在东京西部的akiruno技术中心进行。

　　富士通130纳米节点以前的标准逻辑lsi是利用150和200毫米晶圆生产线制造的，位于富士通的aizu-wakamatsu工厂、iwate工厂和mie工厂。采用90纳米节点及更先进工艺的高级逻辑lsi在富士通的另一家mie工厂生产，采用300毫米晶圆生产线。

　　富士通计划在2008年3月向mie工厂转移制造设备。目前正在向mie工厂转移45纳米工艺技术的开发工作，计划在2008财年上半年(2008年4-9月)完成。

　　富士通表示，通过这次整合，将加快45纳米及更先进节点的工艺技术开发。上述分拆工作计划在2008年3月进行。富士通表示：“关于建立新的子公司的细节正在考虑之中，计划在适当的时候公面上。”

　　据富士通，“新的子公司将使富士通能够加快其assp以及asic业务的增长，并加强对assp业务的关注，同时促进业务拓展，进一步提高公司的响应速度和灵活性。”