海力士明年量产54纳米DRAM芯效率提40%
发布时间:2008/5/25 0:00:00 访问次数:97
11月27日消息，海力士（hynix）半导体公司本周日表示，它计划于明年下半年开始量产54纳米的dram芯片。
据国外媒体报道称，与目前的66纳米工艺相比，54纳米工艺能够将生产效率提高40%。
7月份，三星采用50纳米工艺的1gb dram芯片通过英特尔的验证。
11月27日消息，海力士（hynix）半导体公司本周日表示，它计划于明年下半年开始量产54纳米的dram芯片。
据国外媒体报道称，与目前的66纳米工艺相比，54纳米工艺能够将生产效率提高40%。
7月份，三星采用50纳米工艺的1gb dram芯片通过英特尔的验证。
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