美国ibm日前开发成功了采用应变锗（strained germanium）将晶体管工作速度提高到3倍的新技术。这是ibm于美国当地时间12月6日宣布的。该技术可利用现有的cmos制造工艺。

　　在提高晶体管工作速度的技术中，有时会采用应变硅这种方法。该技术利用的是，向晶体管内部电流传导的通道部分的硅层加压使其变形后，硅层内载流子迁移率会升高的现象。如果将该技术应用到锗材料中、使用应变锗的话，晶体管的性能会比采用硅还要高。不过，通过半导体制造技术应用应变锗这种方法，此前从未有人考虑过。

　　ibm利用传统的cmos制造工艺成功地在通道部分设计了应变锗层。“很早以前人们就知道锗的导电率高于硅，此次通过采用本公司开发的制造工艺使锗层发生变形，实现了更高的性能”（ibm）。

　　采用锗作为通道材料，可使芯片内部的电路更加微细，还可进一步提高其工作速度。ibm认为32nm以下的制造工艺也可运用该技术。

　　此外，ibm表示锗还可替代二氧化硅作为高介电率（high-k）栅极绝缘膜材料使用。

　　ibm将在2004年12月13～15日于加利福尼亚州旧金山举行的international electron devices meeting（iedm）上，发表通过现有cmos制造工艺应用应变锗的技术细节。 日经bp社