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密集喷嘴+分散回收结构，IBM射流冲击技术简化芯片冷却方法

发布时间:2008/5/24 0:00:00 访问次数:85

ibm公司研究实验室的科学家日前研究出了一种使用直接射流冲击技术的半导体液体冷却方法，这种射流冲击技术利用一组微小的喷嘴和分散回收结构。

最近的沉浸射流冲击实验表明使用一组水冷却器的冷却功率密度可达到370瓦/平方厘米。目前大多数气冷技术的极限约为60瓦/平方厘米，大多数芯片制造商将仍然使用气冷技术，直到性价比更高的技术出现。

通过使用多个平行喷入和吸出喷嘴，在4平方厘米的面积上可放置5万个100微米的喷嘴。

ibm公司研究实验室的科学家日前研究出了一种使用直接射流冲击技术的半导体液体冷却方法，这种射流冲击技术利用一组微小的喷嘴和分散回收结构。

最近的沉浸射流冲击实验表明使用一组水冷却器的冷却功率密度可达到370瓦/平方厘米。目前大多数气冷技术的极限约为60瓦/平方厘米，大多数芯片制造商将仍然使用气冷技术，直到性价比更高的技术出现。

通过使用多个平行喷入和吸出喷嘴，在4平方厘米的面积上可放置5万个100微米的喷嘴。

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