TPC8018-H(TE12L,Q)

TPC8018-H(TE12L,Q)详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOP
系列:-
制造商:Toshiba
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:18A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C:4.6 毫欧 @ 9A,10V
Id时的Vgs333th444111最大222:2.3V @ 1mA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:38nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2265pF @ 10V
功率_最大:-
安装类型:表面贴装
封装__外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)
供应商设备封装:8-SOP(5.5x6.0)
包装:剪切带 (CT)
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  • TPC8018-H(TE12L,Q)
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