SQM85N03-06P-GE3

SQM85N03-06P-GE3详细规格

类别：FET - 单
描述：MOSFET N-CH D-S 30V TO263
系列：TrenchFET®
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET特点：逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444：30V
电流_连续漏极333Id4440a025000C：60A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫欧 @ 20A，10V
Id时的Vgs333th444111最大222：2.5V @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds：4120pF @ 15V
功率_最大：100W
安装类型：表面贴装
封装__外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：TO-263（D2Pak）
包装：带卷 (TR)
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    SQM85N03-06P-GE3

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    厂家VBsemi/台湾微碧
    批号21+
    数量5801
    封装TO-263

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    SQM85N03-06P-GE3

    厂家Vishay/Siliconix
    批号㊣10/11+
    数量8625
    封装贴◆插

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  • Vishay/Siliconix 
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