BSS84LT1G
BSS84LT1G属性
- 0
- ON
BSS84LT1G描述
制造商: ON Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
晶体管极性: P-Channel
汲极/源极击穿电压: 50 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏极连续电流: 130 mA
Drain-Source On Resistance: 10 Ohms
配置: Single
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23
封装: Reel
下降时间: 1 ns
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 0.225 W
上升时间: 1 ns
工厂包装数量: 3000
典型关闭延迟时间: 16 ns