K4T1G164QF-BCE7

K4T1G164QF-BCE7属性

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K4T1G164QF-BCE7描述

型号：K4T1G084QF-BCE7
品牌：SAMSUNG（三星）
产品封装：FBGA封装倒装芯片（无铅免费无卤素）
温度/功耗：商业温度（0°C〜；+85°C），正常供电
类别：DRAM的〜；〜；DDR2 SDRAM，
容量及刷新速率：1GB，8K/64ms
芯片结构：X8
芯片排数：8家银行
内存接口（VDD），VDDQ电压：SSTL_18，1.8V，1.8V
内核代号F-模
速度：DDR2-800（400MHZ@ CL= 5，tRCD的= 5，TRP= 5）

Nand闪存芯片介绍
Nand-flash内存是flash内存的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。
NAND Flash 的数据是以bit的方式保存在memory cell，一般来说，一个cell 中只能存储一个bit。这些cell 以8个或者16个为单位，连成bit line，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NAND Device的位宽。这些Line会再组成Page，(NAND Flash 有多种结构，我使用的NAND Flash 是K9F1208,下面内容针对三星的K9F1208U0M)，每页528Bytes(512byte(Main Area)+16byte(Spare Area))，每32个page形成一个Block(32×528B)。具体一片flash上有多少个Block视需要所定。我所使用的三星k9f1208U0M具有4096个block，故总容量为4096×（32×528B）=66MB，但是其中的2MB是用来保存ECC校验码等额外数据的，故实际中可使用的为64MB。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。详细资料请咨询裕硕科技0755-82767795。

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