IRF540N
IRF540N属性
- TO220
- IR
IRF540N描述
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 33A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值) 44 毫欧 @ 16A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 71nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1960pF @ 25V
功率 - 最大值 130W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装 管件
原装现货,公司库存