IRF640NP
- 发布时间：2020/1/14 11:26:38
- 所属类别：三极管 » 其他三极管
- 公 司：深圳市宏世佳电子科技有限公司
- 联 系 人：高小姐/李先生
IRF640NP属性
- MOSFET N 通道，金属氧化物
- TO220
- IR
IRF640NP描述
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 200V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 18A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值） 150 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 67nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1160pF @ 25V
功率 - 最大值 150W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
包装 管件
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联系方式
- 联系人：高小姐/李先生
- 地 址：深圳市福田区华强北路上步工业区鹏基上步工业厂房102栋西620
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