ACNT-H511-000E
ACNT-H511-000E属性
ACNT-H511-000E描述
封装 / 箱体: SOIC-8
通道数量: 1 Channel
绝缘电压: 7500 Vrms
输出类型: Phototransistor
电流传输比(最小值): 31 %
电流传输比(最大值): 80 %
If - 正向电流: 20 mA
Vf - 正向电压: 1.45 V
上升时间: 2 us
下降时间: 2 us
Vr - 反向电压 : 5 V
Pd-功率耗散: 100 mW
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 105 C
系列: ACNT





公网安备44030402000607





