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ACNT-H511-000E

ACNT-H511-000E产品图片
  • 发布时间:2025/11/4 13:56:33
  • 所属类别:光电元件 » 光电耦合器
  • 公    司:兆亿微波(北京)科技有限公司
  • 联 系 人:韩
  • ACNT-H511-000E供应商

ACNT-H511-000E属性


ACNT-H511-000E描述

封装 / 箱体: SOIC-8
通道数量: 1 Channel
绝缘电压: 7500 Vrms
输出类型: Phototransistor
电流传输比(最小值): 31 %
电流传输比(最大值): 80 %
If - 正向电流: 20 mA
Vf - 正向电压: 1.45 V
上升时间: 2 us
下降时间: 2 us
Vr - 反向电压 : 5 V
Pd-功率耗散: 100 mW
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 105 C
系列: ACNT


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联系方式
  • 联系人:韩
  • 地 址:北京市海淀区上地三街9号E座2层
  • 邮 编:100085
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