IPP65R095C7

IPP65R095C7属性

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IPP65R095C7描述

安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 24 A
Rds On-漏源导通电阻: 84 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 45 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 128 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 7 ns
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFETs

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