JXP10N10G

• 发布时间：2025/6/9 10:14:15
• 所属类别：集成电路 » 集成电路
• 公    司：深圳市鑫顺祥科技有限公司
• 联 系 人：吴先生
• 

JXP10N10G属性

JXP10N10G描述

基本参数：漏极电流
I
D
​
=10A
，漏源电压
V
DS
​
=100V
。在栅源电压
V
GS
​
=10V
时，导通电阻
R
DS(ON)
​
(Typ.)=100mΩ
；在
V
GS
​
=4.5V
时，
R
DS(ON)
​
(Typ.)=130mΩ
。
产品特点：采用屏蔽栅沟槽技术，优化后可提供高效的高频开关性能。具有极低的导通电阻和栅极电荷，能使传导和开关功率损耗降至最低。其封装为 TO - 252，这种封装具有良好的散热性能。同时，该器件还具有高密单元设计、超低结电容、改善的
dv/dt
能力、无铅引脚电镀等特点，并且符合 RoHS 环保标准。
应用领域：适用于高频开关和同步整流等场景，常用于电源管理开关、DC/DC 转换器等电路中。

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