IPB031N08N5

IPB031N08N5属性

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IPB031N08N5描述

制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
REACH - SVHC:
技术: Si
封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 120 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 87 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 167 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
配置: Single
下降时间: 12 ns
正向跨导 - 最小值: 76 S
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFETs
上升时间: 18 ns
系列: OptiMOS 5
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 37 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
宽度: 9.25 mm
零件号别名: SP001227048 IPB031N08N5ATMA1
单位重量: 4 g

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