MURS260T3G 肖特基二极管

MURS260T3G 肖特基二极管属性

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MURS260T3G 肖特基二极管描述

参数名称 参数值
Source Content uid MURS260T3G
Brand Name onsemi
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
Objectid 2037967644
零件包装代码 SMB
包装说明 LEAD FREE, PLASTIC, CASE 403A-03, SMB, 2 PIN
针数 2
制造商包装代码 403A-03
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China, Vietnam
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.80
Factory Lead Time 14 weeks
风险等级 0.79
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2024-09-19 14:45:22
YTEOL 6
其他特性 FREE WHEELING DIODE
应用 HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY POWER
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V
JEDEC-95代码 DO-214AA
JESD-30 代码 R-PDSO-C2
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
最大非重复峰值正向电流 35 A
元件数量 1
相数 1
端子数量 2
最高工作温度 175 °C
最低工作温度 -65 °C
最大输出电流 2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260
认证状态 Not Qualified
最大重复峰值反向电压 600 V
最大反向恢复时间 0.075 µs
表面贴装 YES
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 C BEND
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40

MURS260T3G肖特基二极管的特性与应用
在现代电子技术中，肖特基二极管因其独特的性能在各种应用中发挥着重要角色。MURS260T3G是一种常见的肖特基二极管，广泛应用于开关电源、电流整流、信号整形等领域。本文将探讨MURS260T3G的结构、工作原理、主要特性以及它的实际应用，帮助理解肖特基二极管在电子设备中的重要性。
1. 肖特基二极管的基本概念
肖特基二极管是由金属和半导体之间形成的一个贫化区域（耗尽区）所构成的二极管，其工作原理主要基于肖特基势垒。与传统的PN结二极管不同，肖特基二极管没有载流子复合的过程，因而具有更快的开关速度和更低的正向电压降。这些特性使得肖特基二极管在高频率和高效率电路中表现出色。
2. MURS260T3G的结构特点
MURS260T3G是一种典型的硅基肖特基二极管，其构造由金属层（通常是铝或钛）和N型半导体材料构成。金属与半导体的接触形成了一个肖特基势垒，这个势垒是其主要的电气特性来源。
该二极管的额定电流为2A，反向电压高达60V，正向电压降在0.4V至0.5V之间。这些参数使得MURS260T3G能够在一定条件下承受较大的电流和电压，适用范围广泛。
3. 工作原理
MURS260T3G的工作原理可以从其I-V特性曲线进行分析。正向偏置时，外加电压导致正极的电子被驱动，经过肖特基势垒向负极移动，形成电流流动。由于其较小的正向电压降，与PN结二极管相比，肖特基二极管的功耗较低，从而降低了发热量。
反向偏置时，肖特基二极管处于截止状态，但其反向漏电流相对较大。不过，与传统二极管相比，肖特基二极管的漏电流仍然较小，允许它在高频应用中维持较好的性能。肖特基二极管的响应时间极短，可在纳秒级别，所以它在高速开关电路中的应用尤为广泛。
4. 主要特性
MURS260T3G的主要特性包括其低正向电压降、高开关速度和额定电压。具体来看，正向电压降的降低意味着在高电流应用中，其发热较小，有助于提升电路的效率。同时，其极高的开关速度意味着可以在更高的频率下工作。
此外，该器件有着优异的温度特性，能在广泛的温度范围内保持稳定的性能。作为一种抗电流特性的器件，MURS260T3G能够抵抗瞬态电流冲击，确保电路在高性能状态下保持稳定。
5. 应用领域
MURS260T3G的广泛应用主要体现在开关电源、整流电路和其他高频电路中。例如，在开关电源中，MURS260T3G可以用作整流二极管，将交流电转换为直流电，发挥其高效的整流特性。
在有效能量转换和稳压系统中，使用MURS260T3G可以有效减少开关损耗，提高系统的整体效率。此外，在信号整形电路和电压钳位电路中，该二极管也表现出色，能够实现精准的电压控制，保证信号的稳定。
6. 与其他二极管的比较
与PN结二极管相比，MURS260T3G展现了更高的效率和更好的开关性能。虽然PN结二极管在耐压能力上可能具有优势，但在低电压和高速条件下，肖特基二极管常常成为更优选。
例如，在电动机驱动、LED驱动等场合，MURS260T3G的快速响应使得电流调节更加精准，降低了电磁干扰。此外，在可再生能源系统中，如太阳能逆变器，该二极管同样能够提升效率，降低能量损耗。
7. 未来发展趋势
随着互联网和物联网设备的迅速发展，对高效能、低功耗元器件的需求日益增加。MURS260T3G作为一款符合这些性能要求的肖特基二极管，其市场前景也随着技术的进步而不断提升。厂商可能会在材料、结构和工艺上进行进一步的优化，以提升其性能和可靠性。新型材料的应用，尤其是氮化镓（GaN）等宽禁带半导体的研究，或将开启肖特基二极管应用的新纪元。
尽管MURS260T3G已经在多个消费电子领域取得了成功，但逐步实现更强大的电流承受能力、更高的反向电压以及更低的漏电流仍然是未来研究的重要方向。


NSR0320MW2T1G
NL17SZ08DFT2G
NTR4502PT1G
NSS40302PDR2G
1SMB5926BT3G
FAN2558SX
NLV74HC164ADTR2G
NCP3170ADR2G
FDC2512
FSDM311A
NCV887001D1R2G
FDC6420C
NSR07540SLT1G
MBR0540T3G
MMBT3904LT1G
MM3Z9V1ST1G
FQPF27P06
MC33074DR2G
MRVBM140T1G
NRVB2H100SFT3G
FDY300NZ
MC74HC595ADR2G
NCV6323BMTAATBG
MBRS1100T3G
MUR860G
SZNUP3105LT1G
TL431CDR2G
MC74VHC14DTR2G
SNRVUD620CTT4G
FDD4243
NVTFS5116PLTAG
CPH6354-TL-W
NRVUA160VT3G
MC33072DR2G
NSR20F20NXT5G
NVF2955T1G

MAX803SQ438T1G
SMBT3946DW1T1G
SMUN5311DW1T1G
MMQA5V6T1G
MBR0520LT1G
MBR0540T1G
SBAS70-04LT1G
SZMMBZ15VDLT1G
MMSD701T1G
SESDONCAN1LT3G
SZESD7551N2T5G
SZMMSZ5245BT1G
SZMMSZ5246BT1G
SZMMSZ5230BT1G
SZMMSZ5248BT1G
SMUN5312DW1T1G
SZESD7241N2T5G
SZESD7205WTT1G
SZMMBZ27VALT1G
SZMMBZ27VCLT1G
SZMM3Z18VST1G
SZESD7002WTT1G
SMMUN2214LT1G
SBC847BDW1T1G
NSR0170HT1G
SMBT3904DW1T1G
SZESD7571N2T5G
SZMMBZ33VALT1G
NSVBAT54HT1G
MMUN2211LT1G
SZMM3Z43VT1G
SMUN5335DW1T1G
SZMMBZ4252T1G
SMMUN2214LT1G
SBC847BDW1T1G
SMUN5315DW1T1G
SBAT54ALT1G
SZBZX84B4V7LT1G
BC848CPDW1T1G
NSVR0320MW2T1G
MSV45030AT1G
NSVR1020MW2T1G
CM1293A-02SO
BAW56WT1G
BAS21SLT1G
SZMMSZ4692T1G
SZMMSZ5254BT1G
SZMMSZ5261BT1G
MMSZ4678T1G

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