• IC/元器件
  • 技术资料
  • 电子资讯
当前位置:51电子网 » 电子元器件库 » 三极管 » 开关/功率开关三极管

BC846BLT1G 双极性晶体管

BC846BLT1G 双极性晶体管产品图片
  • 发布时间:2024/12/12 17:00:56
  • 所属类别:三极管 » 开关/功率开关三极管
  • 公    司:深圳市展鹏富裕科技有限公司
  • 联 系 人:陈丹
  • BC846BLT1G 双极性晶体管供应商

BC846BLT1G 双极性晶体管属性

  • 特价
  • 卷带(3000个/圆盘)
  • 库存现货,价格优势
  • ONSENMI(安森美)

BC846BLT1G 双极性晶体管描述

BC846BLT1G 双极性晶体管的特性与应用
双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT)是一种广泛应用于电子电路中的基本元件。BC846BLT1G是一款常见的小信号NPN型晶体管,因其出色的电气性能和多功能性而受到设计工程师的青睐。本文将针对BC846BLT1G的电气特性、工作原理、应用领域以及选型注意事项等方面进行详细探讨。
一、基本特性
BC846BLT1G是由NPN结构组成,其主要电气特性对于理解其应用十分重要。首先,该晶体管具备较低的集电极饱和压降(V_CE(sat)),通常在150mV左右,这意味着其在导通状态下具有较低的功率损耗。在大多数情况下,这种特性使得BC846BLT1G非常适合于低功耗应用。
其最大集电极电流(I_C)的规格为100mA,能有效地支持较低电流的信号放大或开关操作。同时,BC846BLT1G的最大集电极-发射极电压(V_CE)为65V,这为其在中等电压应用中提供了良好的灵活性。在工作频率方面,该型号晶体管具有相对较高的增益带宽积,约为100MHz,显示出其在高速开关和放大器应用中的适用性。
二、工作原理
BC846BLT1G作为NPN型晶体管,其工作原理可以通过下述三个基本工作状态来描述:放大状态、饱和状态和截止状态。在放大状态下,小的基极电流(I_B)会使得集电极电流(I_C)流过,即I_C = β * I_B,其中β为直流电流增益。此时,输入信号被有效放大,适用于信号处理的应用。
在饱和状态下,基极电流的增加使得晶体管完全导通,从而允许较大电流通过集电极与发射极之间。此时,晶体管相当于一个闭合开关,常用于开关电源、继电器驱动等应用。而在截止状态下,基极电流为零,集电极与发射极之间的电流几乎为零,适用于需要断开电流的情形。
三、应用领域
BC846BLT1G广泛应用于各种电子设备中。由于其适应低功率和小信号特性,通常被用作放大器、开关、信号调理和振荡器等电路中。在消费电子产品中,BC846BLT1G被用于音频放大、调制解调器以及其他信号处理电路。同时,在计算机和通信设备中也具有重要应用,如用于处理低功率信号的运算放大器电路。
在汽车电子领域,BC846BLT1G也受到重视。在车辆的传感器和控制系统中,其能够高效地处理快速变化的信号,保证安全性与性能。在LED驱动电路和其它高效照明设备中,该晶体管也展现出其优良的开关特性,有效提高了能量利用率。
此外,BC846BLT1G在工业自动化设备中同样不可或缺,主要用于信号放大和控制信号处理,满足高可靠性和长寿命的需求。根据不同的应用需求,BC846BLT1G还可以与其它电子元件相结合,形成更为复杂的电路设计。
四、选型注意事项
在选择BC846BLT1G作为设计元件时,有几个关键参数需要特别关注。首先,确认所需的集电极电流和电压是否在BC846BLT1G的规格范围内,以防止电路在高负荷下损坏。其次,要注意工作频率和增益带宽积的匹配,确保晶体管能够在预期的应用频段内有效工作。
此外,环境温度也是一个重要因素。BC846BLT1G的工作温度范围通常为-55至+150摄氏度,设计的电路要考虑到温度对器件性能的影响。信号的波形特性和负载条件也应当纳入考虑,以避免在实际应用中发生非线性失真或开关延迟等问题。
在PCB设计中,考虑PCB的导电性与散热性也十分关键。应合理布局,使得BC846BLT1G不会因为高温而提前失效,尤其是在高频和高压应用中。最后,还需要根据电路特性选择合适的偏置电阻,以保证晶体管能够在最佳状态下工作。
五、与其他晶体管的比较
虽然BC846BLT1G具备诸多优点,但在实际应用中也常常需要与其他型号晶体管进行比较。例如,在一些高功率应用中,设计师可能会选择功率NPN晶体管,以满足更高的电流与电压要求。而在需要超低功耗的应用中,场效应晶体管(FET)可能会更加适合,因为FET在静态状态下的功耗更低。
BC846BLT1G的电流增益虽然较大,但在需要更高增益的放大应用中,在选择时也要仔细分析,确保所用的晶体管能够最大限度地提升系统性能。除了电气特性外,机械特性和封装形式也是影响选择的重要因素。
综上所述,BC846BLT1G作为一种经典的小信号NPN型晶体管,其性能和适用场景都极为广泛,深入理解其特性能帮助工程师在不同的电路设计中做出更合理的选择。随着电子技术的不断发展,BC846BLT1G的应用前景仍将持续扩大,成为创新设计中的重要元件。


BC846BLT1G LRC(乐山无线电)
IRFP4468PBF IR(国际整流器)
TL494CN TI(德州仪器)
AT89C51CC03UA-RLTUM Atmel(爱特梅尔)
TMS320F28379SPTPT TI(德州仪器)
HEF4051BT Philips(飞利浦)
XC3S400-4PQG208I XILINX(赛灵思)
MT25QL512ABB1EW9-0SIT micron(镁光)
MC33269DTRK-3.3G ON(安森美)
STM32F071CBT6 ST(意法)
PIC12F1840-I/SN Microchip(微芯)
EP3C25Q240C8N ALTERA(阿尔特拉)
INA194AIDBVR TI(德州仪器)
SFH6916 Vishay(威世)
CD4069UBM96 TI(德州仪器)
STW43NM60ND ST(意法)
AM26LV32CDR TI(德州仪器)
AT91SAM9RL64-CU Atmel(爱特梅尔)
CAT24C02TDI-GT3A ON(安森美)
CH32F103C8T6 WCH(南京沁恒)
EPM3032ATI44-10N ALTERA(阿尔特拉)
STM32F410RBT6 ST(意法)
SC7A20TR SILAN(士兰微电子)
GD32F307VCT6 GD(兆易创新)
LAN8720A-CP smsc
88E1548-A1-BAM2C000 Marvell(美满)
PCF8574T NXP(恩智浦)
KSZ8895MLUB Microchip(微芯)
A800 NVIDIA
AD9460BSVZ-105 ADI(亚德诺)
TPS51117RGYR Burr-Brown(TI)
ADUM1411ARWZ ADI(亚德诺)
CAS300M17BM2 CREE(科锐)
AD8400ARZ10 ADI(亚德诺)
AD8065ARZ ADI(亚德诺)
LTM4630IY ADI(亚德诺)
1825-0433 ST(意法)
CY91F575BPMC-GSE2 Cypress(赛普拉斯)
NCP81258MNTBG ON(安森美)
TL1963ADCQR TI(德州仪器)
LMR16006XDDCR TI(德州仪器)
TLV2451IDBVR TI(德州仪器)
ADUM4160BRWZ-RL ADI(亚德诺)
M95M01-RMN6TP ST(意法)
AT27C010-70PU Atmel(爱特梅尔)
TXS0108EQPWRQ1 TI(德州仪器)
DRV8818PWPR TI(德州仪器)
LM5145RGYR TI(德州仪器)
STM32F427IGT6 ST(意法)
ADUM1251ARZ-RL7 ADI(亚德诺)
DS90UB953TRHBRQ1 TI(德州仪器)
5CGXFC5C6F27I7N ALTERA(阿尔特拉)
S8050 ST(意法)
HCPL-0601-500E Avago(安华高)
LTV-817S-TA1-C LITEON(台湾光宝)
S34ML02G100TFI000 Cypress(赛普拉斯)
SN74LS06NSR TI(德州仪器)
SY6280AAAC SILERGY(矽力杰)
NTF3055L108T1G ON(安森美)
STM32F205VCT6 ST(意法)
NCV7608DQR2G ON(安森美)
SX1308 SHOUDING(首鼎半导体)
PIC18F26K20-I/ML MIC(昌福)
RHRP30120 Freescale(飞思卡尔)
HI-8420PSI Holt Integrated Circuits Inc.
AD7682BCPZ ADI(亚德诺)
STM8S208CBT6 ST(意法)
MCIMX6G2CVM05AB Freescale(飞思卡尔)
LM293ADR TI(德州仪器)
STH180N10F3-2 ST(意法)
TMS320F28034PAGT TI(德州仪器)
GD32F303VGT6 GD(兆易创新)
MX25L12835FMI-10G Macronix International
ADM3485ARZ ADI(亚德诺)
ATXMEGA128D4-AU Atmel(爱特梅尔)
TDA7851L ST(意法)
STM32G0B1RET6 ST(意法)
NCP302LSN30T1G ON(安森美)
PWD13F60 ST(意法)
MCF5272CVM66 Freescale(飞思卡尔)
NCP1608BDR2G ON(安森美)
XC7Z020-1CLG484I4493 XILINX(赛灵思)
TDK5101F Infineon(英飞凌)
ADS8568SRGC TI(德州仪器)
LT1962EMS8-3.3 ADI(亚德诺)
OPA454AIDDAR TI(德州仪器)
NC7S08M5X Freescale(飞思卡尔)
MSP430F5529IPNR TI(德州仪器)
NC7WZ16P6X Freescale(飞思卡尔)
BTS721L1 SIEMENS(德国西门子)
DAC8571IDGKR TI(德州仪器)
B540C-13-F Diodes(美台)
XC6SLX9-2FTG256I XILINX(赛灵思)
AT91SAM9263B-CU-100 Microchip(微芯)
88E1116RA0-NNC1C000 Marvell(美满)
CAT24M01WI-GT3 ON(安森美)
MT48LC32M16A2P-75IT:C MT Microsystems
TUSB2046BIRHBR TI(德州仪器)
MC56F8037VLH Freescale(飞思卡尔)
STM32F401RBT6 ST(意法)
FXOS8700CQR1 Freescale(飞思卡尔)
STM32F303RET6 ST(意法)
TLC2272CDR TI(德州仪器)
1SMB5929BT3G ON(安森美)
INA240A1QPWRQ1 TI(德州仪器)
IRF5210PBF Infineon(英飞凌)
PIC18F25K22-I/SS Microchip(微芯)
NRF24L01P-R NORDIC
ADP-2-1+ Mini-Circuits
PIC16F630-I/SL PIC Wire & Cable
XC6SLX4-2CSG225C XILINX(赛灵思)
MCIMX6Q6AVT10AE NXP(恩智浦)
93LC56BT-I/OT Microchip(微芯)
PIC16F876A-I/SP MIC(昌福)
GD25Q64CSIG GD(兆易创新)
TLV431AIDBZR TI(德州仪器)
STTH6003CW ST(意法)
TPS74511PQWDRVRQ1 TI(德州仪器)
NCP301LSN45T1G ON(安森美)


BC846BLT1G 双极性晶体管相关产品

BAT54SLT1G 肖特基二极管
BAT54SLT1G 肖特基二极管的研究  引言  随着电子技术的不断发展,高频率和低功耗的电子元件在现代电路中愈发重要。其中,肖特基二
74LVC595APW 移位寄存器
74LVC595APW 移位寄存器的特性与应用研究  在现代数字电子设计中,移位寄存器作为基础的存储器件之一,普遍应用于数据处理与传输系统。74LVC
NL27WZ06DTT1G 逻辑芯片
NL27WZ06DTT1G 逻辑芯片的技术分析与应用  随着电子技术的迅速发展,逻辑芯片在现代电子产品中发挥着至关重要的作用。逻辑芯片根据其结构和功
MC34063ADR2G 可调电压器
MC34063ADR2G 可调电压器的工作原理与应用  MC34063ADR2G是一款广泛使用的降压转换器,其设计目的在于为各种电子设备提供稳定的电
MMBT4124LT1G 双极性晶体管
MMBT4124LT1G双极性晶体管的特性与应用  引言  双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJ
MRA4007T3G 通用二极管
MRA4007T3G通用二极管的特性及应用研究  引言  二极管是电子元器件中不可或缺的一种,通常用于整流、信号调制以及保护电路等。MR
NC7WZ17P6X 施密特触发器
施密特触发器(Schmitt Trigger)是一种重要的电子电路,其主要功能是实现信号的波形整形和状态转换。与传统的逻辑门电路相比,施密特触发器在输入信号的上
NC7SZ157P6X 多路复用器
NC7SZ157P6X 多路复用器的设计与应用  引言  随着电子技术的快速发展,多路复用器(Multiplexer, MUX)作为一种
联系方式
  • 联系人:陈丹
  • 地 址:广东省深圳市福田区新亚洲一期3楼房间3A061A室
  • 邮 编:518000
  • 电 话:0755-82573702
  • 传 真:
  • 邮 箱:py-dz@qq.com
  • Q Q:点击这里给我发消息 QQ:1071923355 复制
  • Q Q:点击这里给我发消息
  • 微信:

版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13751165337  13692101218
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!