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BAT54SLT1G 肖特基二极管

BAT54SLT1G 肖特基二极管产品图片
  • 发布时间:2024/12/12 16:35:21
  • 所属类别:二极管 » 肖特基二极管
  • 公    司:深圳市展鹏富裕科技有限公司
  • 联 系 人:陈丹
  • BAT54SLT1G 肖特基二极管供应商

BAT54SLT1G 肖特基二极管属性

  • 特价
  • 适用于低电压、高频率整流,或采用表面贴装的续流和极性保护二极管的应用
  • 卷带(3000个/圆盘)
  • 库存现货,价格优势
  • ON(安森美)

BAT54SLT1G 肖特基二极管描述

BAT54SLT1G 肖特基二极管的研究
引言
随着电子技术的不断发展,高频率和低功耗的电子元件在现代电路中愈发重要。其中,肖特基二极管因其优越的特性而被广泛应用于不同的电子设备中。BAT54SLT1G是一款集成了肖特基特性的二极管,其在高效能和小型化方面尤其表现突出,适用于电源管理、电压调节、信号整流等多种应用场景。
肖特基二极管的基本原理
肖特基二极管是由金属与半导体材料形成的一个PN结。相较于传统的PN结二极管,肖特基二极管采用金属-半导体接触,而非半导体-半导体接触。这一结构的主要优点在于其较低的正向压降和较快的开关速度。正向压降通常在0.2至0.4伏之间,而普通二极管的正向压降则在0.6至0.8伏之间。这使得肖特基二极管特别适合高频应用,并降低了在导通状态下所需的输入功率。
肖特基效应是肖特基二极管的重要特性,由于其独特的结构,肖特基二极管在正向偏置时能够快速导通,并在反向偏置时迅速截止。这一特性使得它在高频整流和开关电源中显得尤为重要。
BAT54SLT1G 的特性与应用
BAT54SLT1G作为一种双结肖特基二极管,主要用于低功耗应用。它的封装形式为SOT-23,体积小巧、易于在紧凑的电路板中使用。其正向电流值为200mA,反向电压为30V,适合在大多数通用电路中使用。该器件具有快速的开关速度,适合在高频信号处理和整流等应用中使用。同时,其低的正向压降能够有效降低功率损耗,这对于电源管理电路而言是至关重要的。
在电源管理领域,BAT54SLT1G经常被用作反向电流保护二极管,通过将其并联在负载的正极,可以有效防止电流倒流,保护电路组件不受损害。此外,该二极管还可用于负载开关控制,通过快速开关行为,可以实现对负载的精准控制,这对于现代数字电路的高效运行至关重要。
在信号整流方面,BAT54SLT1G也显示出良好的性能。在射频和高速通信电路中,常常需要对信号进行整流和检波,BAT54SLT1G因其快速的开关速度与低的反向恢复时间而成为理想选择,能够有效提高信号处理的效率。
热稳定性与耐久性
在高频及高温环境下,肖特基二极管的热稳定性是其关键性能之一。BAT54SLT1G的特性保证了其在长时间工作中的稳定性。凭借其优良的热导性,BAT54SLT1G能够在较高的工作温度下仍然维持稳定的电气性能。此外,在多次开关和循环负载的测试中,BAT54SLT1G显示出极好的疲劳耐受性,这使其在诸多应用中得到了充分验证。
未来发展趋势
随着科技的进步,对电子元器件的要求在逐渐升级。特别是在物联网、智能穿戴设备等领域,对能效和尺寸的要求日益严格。这推动了肖特基二极管技术的发展,BAT54SLT1G等器件正是这一趋势的产物。
在未来,肖特基二极管可能会向更高的效率、更小的体积以及更广泛的应用场景迈进。新材料的应用,如氮化镓(GaN)和硅碳化物(SiC),以及技术的创新都将推动肖特基二极管的性能提升。这些新材料不仅可以进一步降低正向压降,还能在更高的频率和温度范围内工作,从而为BAT54SLT1G等器件的进化提供了无限可能。
另外,随着环保意识的增强,未来的电子元器件设计中将更加关注材料的可回收性与环境友好性。高效能的BAT54SLT1G也将迎来更加严格的环保标准,从而促使其设计和生产过程中的绿色理念逐步落实。
结语
综上所述,BAT54SLT1G肖特基二极管以其优越的性能和广泛的应用领域,成为了现代电路设计中的重要组成部分。其设计与应用的不断演进,标志着电子技术的持续创新潮流。通过对BAT54SLT1G的深入研究,能够为未来电子设备的发展提供更为可靠的基础。

BAT54SLT1G TI(德州仪器)
EPM3064ATC44-10N ALTERA(阿尔特拉)
LMZ31707RVQR TI(德州仪器)
TPS55340PWPR TI(德州仪器)
LP2985-33DBVR NS(国半)
MC78L05ACDR2G ON(安森美)
MCP2515-I/ST Microchip(微芯)
MK60DN512VLL10 NXP(恩智浦)
DRV8870DDAR ST(意法)
HGT1S10N120BNST ON(安森美)
NCV4274AST33T3G ON(安森美)
SN75176BP XINBOLE(芯伯乐)
LPC1765FBD100 NXP(恩智浦)
PIC32MX795F512L-80I/PF Microchip(微芯)
SN65HVD1050DR TI(德州仪器)
SJA1000T/N1 Philips(飞利浦)
MC14013BDR2G MOT(仁懋)
FT232BL FTDI(飞特帝亚)
STW13NK100Z ST(意法)
IRF4905STRLPBF IR(国际整流器)
N25Q128A13ESE40F micron(镁光)
ATXMEGA128A1-AU Microchip(微芯)
10M02SCU169C8G INTEL(英特尔)
MMBT3904 Diodes(美台)
ATMEGA32U4-AU Atmel(爱特梅尔)
ATXMEGA256A3BU-MH Atmel(爱特梅尔)
TL072CDR TI(德州仪器)
UPD720201K8-701-BAC-A Renesas(瑞萨)
THGBMNG5D1LBAIL TOSHIBA(东芝)
IPW65R041CFD Infineon(英飞凌)
ADXL1002BCPZ ADI(亚德诺)
MCIMX6U5EVM10AD NXP(恩智浦)
BQ24610RGER TI(德州仪器)
STM32F103ZGT6 ST(意法)
PCM1808PWR Burr-Brown(TI)
10M40DAF256I7G INTEL(英特尔)
TDA8954TH NXP(恩智浦)
AFBR-S10TR001Z Avago(安华高)
MCF5329CVM240 Freescale(飞思卡尔)
TJA1050T NXP(恩智浦)
L7805CV-DG ST(意法)
EPM1270T144C5N ALTERA(阿尔特拉)
STM8S105K4T6C ST(意法)
STM32F746VGT6 ST(意法)
EP5368QI INTEL(英特尔)
TCM1-63AX+ Mini-Circuits
XCF16PFSG48C XILINX(赛灵思)
UC2843BD1R2G TI(德州仪器)
ST10F276Z5T3 ST(意法)
CY14B101Q2-LHXI Cypress(赛普拉斯)
XC7VX690T-2FFG1927I XILINX(赛灵思)
VNQ5E250AJTR-E ST(意法)
XQR5VFX130-1CN1752V XILINX(赛灵思)
VNL5030JTR-E ST(意法)
ATTINY85-20PU Microchip(微芯)
MC68332ACAG25 NXP(恩智浦)
LMZ12008TZ TI(德州仪器)
TPD4S012DRYR TI(德州仪器)
BU508AW NXP(恩智浦)
STM8S105K6T6C ST(意法)
TPS7A3001DGNR TI(德州仪器)
ISO124P TI(德州仪器)
MCIMX6Y2CVM05AB Freescale(飞思卡尔)
STM32H755XIH6 ST(意法)
MIC29302WU Micrel(麦瑞)
MSP430F5418AIPNR TI(德州仪器)
MIC29302WU-TR Micrel(麦瑞)
MCIMX6U6AVM08AC Freescale(飞思卡尔)
LM2676SX-ADJ NS(国半)
NRVBS3200NT3G ON(安森美)
AD977ABRSZ ADI(亚德诺)
TMS320F28027PTT TI(德州仪器)
MPC8313CVRAFFC Freescale(飞思卡尔)
AT24C128C-SSHM-T Microchip(微芯)
STM32F205RBT6 ST(意法)
TPS54360BDDAR TI(德州仪器)
STM32F072RBT6 TI(德州仪器)
SIM868 SIMCOM(芯讯通无线)
F3L150R07W2E3_B11 Infineon(英飞凌)
ATMEGA328P-MU Microchip(微芯)
L6562DTR ST(意法)
LMZ12003TZ-ADJ NS(国半)
MBRS130LT3G MOTOROLA(摩托罗拉)
STM32F030F4P6TR ST(意法)
SN74LVC2G14DBVR TI(德州仪器)
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IRF7342TRPBF Infineon(英飞凌)
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E-L6258EX ST(意法)
STM32L476RGT6 ST(意法)
AT91SAM9X25-CU Microchip(微芯)
AD9910BSVZ ADI(亚德诺)
MCF52255CAF80 Freescale(飞思卡尔)
AD835ARZ ADI(亚德诺)
11AA02E48T-I/TT Microchip(微芯)
MBRS4201T3G ON(安森美)
TPS54531DDAR TI(德州仪器)
B340A-13-F Diodes(美台)
LAN8710AI-EZK smsc
EP4CE10F17I7N ALTERA(阿尔特拉)
HCNR201-500E Avago(安华高)
MP2451DT-LF-Z MPS(美国芯源)
TMS320F28027FPTT TI(德州仪器)
STM32G031G8U6 ST(意法)
PD55015 ST(意法)
SPC5748GBK0AMMJ6 NXP(恩智浦)
1N4148WS Vishay(威世)
SP485EEN-L/TR SIPEX(西伯斯)
24LC256T-I/SN Microchip(微芯)
ATMEGA1284P-AU Atmel(爱特梅尔)
PIC16F1933-I/SS Microchip(微芯)
TLV320AIC3104IRHBR TI(德州仪器)
UC2845BD1R2G ON(安森美)
FQP3P50 ON(安森美)
MCF51AC256ACLKE NXP(恩智浦)
PCA82C251T/YM NXP(恩智浦)
CH340G WCH(南京沁恒)
STM32H723ZGT6 ST(意法)
TMP112AIDRLR TI(德州仪器)
ADUM1401ARWZ ADI(亚德诺)
ISL6367HIRZ-T Renesas(瑞萨)
EP4CE6E22I7N INTEL(英特尔)
MCP2515T-I/ST Microchip(微芯)
AD9467BCPZ-250 ADI(亚德诺)
MP2145GD-Z MPS(美国芯源)
AD8421ARMZ ADI(亚德诺)
TPS82085SILR TI(德州仪器)
MP9486AGN-Z MPS(美国芯源)
LPC1114FBD48/302 ST(意法)
BME280 ST(意法)
F28M35H52C1RFPT TI(德州仪器)
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VND830SPTR-E ST(意法)
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LM317AEMP TI(德州仪器)
AD8542ARZ ADI(亚德诺)
TMS320F2809PZA TI(德州仪器)
MBR120VLSFT1G ON(安森美)
BMP280 Bosch(博世)
IRF7341TRPBF Infineon(英飞凌)


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