GD32E230C8T6

GD32E230C8T6属性

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GD32E230C8T6描述

型号GD32E230C8T6
封装LQFP100
MaxSpeed(MHz)72
Flash(Bytes)64K
SRAM(Bytes)8K
I/Oupto39
GPTM(16bit)5
AdvancedTM(16bit)1
BasicTM(16bit)1
效率它提供高达64KB的嵌入式闪存和高达8KB的SRAM内存。

连接到两个APB总线的大量增强型I/O和外围设备。这个

该设备提供一个12位ADC和一个比较器，最多五个通用16位定时器

小时、PWM高级小时以及标准和高级通信接口：

两个SPI、两个I2C、两个USART和一个I2S。

该设备的工作电压为1.8至3.6V，温度范围为-40至+85°C

温度范围。加载……多种省电模式提供了最大限度的灵活性

唤醒延迟和功耗之间的优化

低功率应用中的考虑
GD32F130G6U6TR
GD32F130G8U6TR
GD32F130C8T6
GD32F150K8U6
GD32F150R8T6
GD32F103TBU6
GD32F103CBT6
GD32F207ZCT6
GD32F330G8U6TR
GD32F330CBT6
GD32F350G8U6TR
GD32F350CBT6
GD32C103RBT6
GD32E230K6T6
GD32E232K8Q7TR
GD32F103RBT6
GD32F103RET6
GD32F103VET6
GD32F130F4P6TR
GD32F130K6T6
GD32F130K8U6
GD32F303CGT6
GD32F303RET6
GD32F303RGT6
GD32F303VCT6
GD32F303VET6
ERF1EM471F12OT
ERS1EM221E11OT
ERK2GM100F12OT
ERM1HM100D11OT
EGW2WM100G16OT
ERS1VM221F12OT
GD32F307RCT6
GD32F303VET6
GD32F303VCT6
GD32F303VGT6
GD32F303CGT6
GD32F303RET6
GD32F103VET6
GD32F103RET6
GD32F105RCT6
GD32F450IIH6
GD32F470IKH6
GD32L233RCT6
GD25Q64ESJGR
GD25Q16CSIG
GD25LQ32DNIGR
GD32A503CCT3
GD32A503KCU3
GD32A503RDT3
GD32F303RCT6
GD32F303VCT6
GD32F303VET6
GD32F330C8T6
GD32F305VET6
GD32F305RET6
GD32L233RCT6
GD32E232K8Q7TR
GD32E230G8U6TR
GD32F305RCT6
GD25LQ16ENIGR
GD25WQ64ESIG
GD25Q80CSIG23+
GD25Q16CSIG23+
GD25Q16EEIGR
GD25Q32CSIG23+
GD25Q64CSIG23+
GD25Q64ESIGR23+
GD25Q128ESIGR23+
GD5F1GQ5UEYIGR

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