SDN10N3P5S2B

SDN10N3P5S2B属性

---

SDN10N3P5S2B描述

深圳市联大实业有限公司
赖小姐 ：电话 13418555974 QQ834115252 微信：13418555974
陈小姐:15889542734 QQ 1654001497微信同号：15889542734
联大公司专业代理生产高压MOS,低压MOS,电源方案，DSP方案，储能BMS技术，为广大生产厂商提供技术及芯片服务，欢迎前来洽谈合作！
1：充电桩
当前，电动汽车分为插电式混合动力汽车（PHEV）和电池电动汽车（BEV）。充电桩用于停车时从交流电网为电动汽车充电。通过提高电池容量和电子元器件的能源效率可实现更高的行驶里程。快速充电的趋势也影响了充电桩的发展，新趋势是30KW甚至高达40KW以上的设计。此类发展，加上对高效率和高功率密度且低系统成本的需求，强力推进了三相解决方案的使用。如今通常情况下，车载充电器电力流向是单向的，即从电网到电池，但也有双向使用的情况。CRMICRO针对充电桩、大功率电源等应用开发的第四代、第五代SJ MOS，采用先进的多层外延技术，优化了元胞结构，具有电流能力强，短路能力好的特点。特别优化的过渡区和终端设计使器件的雪崩特性好，二极管反向恢复特性优，dv/dt能力优。另外CRMICRO推出的新材料SiC二极管器件，具有导通损耗小，开关损耗小，抗雷击浪涌能力强等特性。在应用上更能满足充电桩高效率和高功率察度的性能要求产品特色
1.较好的trr参数，满足应用电路的需求
2.产品规格齐全，满足不同功率端的需求
3.产品参数一致性好
4.高可靠性

2：大功率电源
现代信息社会数据耗量节节攀升，加之5G通信普及。通信电源等大功率电源领域正面临着体积、重量、工作效率、抗干扰性能、电池兼容、待机能耗以安全性等诸多方面的严苛要求考验。高压超结MOS导通电阻的降低，有效提高了通信开关电源性能。CRMICRO针对大功率电源等应用自主研发了采用先进多层外延和注入技术的高压超结MOS，有国内领先的RSP和FOM（RDS（ON）XQg）。CRMICRO推出的第四代、第五代SJ MOS优化元胞结构的同时也特别优化过渡区和终端设计，因此具有电流密度高、短路能力强、开关速度快、易用性好特点，可满足客户的高效率高可靠性需求。为达到大功率电源严苛的能效目标可采用CRMICRO的同步整流中低压的SJ MOS配合SGT MOS，可实现较高的转换效率，坚固耐用，系统成本较低。另外，CRMICRO推出的新材料SiC二极管器件，具有导通损耗小。开关损耗小，抗雷击浪涌能力强特性，在应用上更能满足大功率电源的高效标准等级性能要求。
产品特色
1.SJ MOS较低的FOM值，利于提升系统效率
2.SGT MOS较小的导通电阻，可满足温升、效率的要求
3.产品参数一致性好
4.高可靠性

SDA10N2P3S1F SDN10N2P7S2B SAN10N2P3S2F

SDA10N2P3S1F 车规 100V 240A 1.8毫欧

SDN10N2P7S2B 100V 166A 2.4毫欧

SAN10N2P3S2F 100V 2.3mΩ

SDA10N2P3S1F SDN10N2P7S2B SAN10N2P3S2F 芯迈 100V 2.4毫欧MOS

SDN15N9P3S3C PDFN5*6-8 150V 7.6(mΩ)~(9.3(mΩ)
SDN15N7P2S1B TO263-3 150V 5.8(mΩ)~ 7.2 (mΩ) SDN15N7P1S3B TO263-3 150V 5.3(mΩ)~ 7.1(mΩ)
SDA10K020SAD TO252-2 100V 16.5(mΩ) ~20(mΩ) SDN10K018S2Z PDFN3*3-8 100V 13(mΩ) ~18(mΩ)
SDN10K018S2E PDFN3.3*3.3-8 100V 13(mΩ) ~18(mΩ) SDN10K018S2C PDFN5*6-8 100V 13(mΩ) ~18(mΩ)
SDN10K010S2U TO251-3 100V 8.5(mΩ) ~10(mΩ) SDN10K007S2C PDFN5*6-8 100V 5 (mΩ)~7(mΩ)
SDN10K5P2S2C PDFN5*6-8 100V 4.8(mΩ) ~5.2(mΩ) SDN10N4P9S2B TO263-3 100V 3.7(mΩ) ~4.9(mΩ)
SDN10N4P9S2C PDFN5*6-8 100V 3.6(mΩ) ~4.9(mΩ) SDA10N4P2S1A TO220-3 100V 3.6(mΩ) ~4.2(mΩ)
SDN10N4P2S2B TO263-3 100V 3.8(mΩ) ~4.2(mΩ) SDN10N4P2S2C PDFN5*6-8 100V 3.6(mΩ) ~4.2(mΩ)
SDN10N004S2C PDFN5*6-8 100V 3.1(mΩ) ~4.0(mΩ) SDN10N004S2B TO263-3 100V 3.2(mΩ) ~4.0(mΩ)
SDN10N3P5S2B TO263-3 100V 3.1(mΩ)~ 3.5(mΩ) SDN10N2P7S2B TO263-3 100V 2.4(mΩ)~ 2.7(mΩ)
SDA10N2P7S1A TO263-3 100V 2.3(mΩ) ~2.7(mΩ) SDA10N2P3S1F TO263-7 100V 2.1(mΩ) ~2.3(mΩ)
SDN10N1P5S2T TOLL-8 100V 1.1(mΩ)~ 1.5(mΩ) SDN08N003S2C PDFN5*6-8 CLIP 80V 2.6(mΩ) ~3.0(mΩ)
SDN06K016S2C PDFN5*6-8 60V 13(mΩ) ~16(mΩ) SDN06K9P5S4O SO-8 60V 8.5(mΩ) ~9.5(mΩ)
SDN06L2P5S3C PDFN5*6-8 60V 3.1(mΩ) ~3.9(mΩ) SDN06N1P6S4C PDFN5*6-8 60V 1.3(mΩ) ~1.6(mΩ)
SDN06L1P3S4C PDFN5*6-8 CLIP 60V 0.9(mΩ) ~1.3(mΩ) SDN04N1P4S2C PDFN5*6-8 40V 1.2(mΩ) ~1.4(mΩ)
SDN04L1P4S2C PDFN5*6-8 40V 1.1(mΩ) ~1.4(mΩ) SDN04N0P9S2C PDFN5*6-8 CLIP 40V 0.7(mΩ) ~0.9(mΩ)
SDA04N0P9S1F TO263-7 40V 0.7(mΩ) ~0.9(mΩ) SDN03L1P4S1C PDFN5*6-8 30V 1.1(mΩ)~ 1.4(mΩ)

---

SDN10N3P5S2B相关产品