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MT29F1G08ABAEAWP-IT:E

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E产品图片
  • 发布时间:2023/6/29 11:11:07
  • 所属类别:集成电路 » 集成电路
  • 公    司:深圳勤思达科技有限公司
  • 联 系 人:朱生
  • MT29F1G08ABAEAWP-IT:E供应商

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E属性

  • 存储
  • TSOP-48
  • 美光

MT29F1G08ABAEAWP-IT:E描述

制造商:MicronTechnology
产品种类:NAND闪存
RoHS:详细信息
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:TSOP-48
系列:MT29F
存储容量:1Gbit
接口类型:Parallel
组织:128Mx8
定时类型:Asynchronous
数据总线宽度:8bit
电源电压-最小:2.7V
电源电压-最大:3.6V
电源电流—最大值:35mA
最小工作温度:-40C
最大工作温度:+85C
封装:Tray
有源读取电流(最大值):35mA
商标:Micron
湿度敏感性:Yes
产品:NANDFlash
产品类型:NANDFlash
960
子类别:Memory&DataStorage
单位重量:7.284g
这些设备使用NAND闪存的电气和命令接口。数据、命令、,

并且地址被多路复用到相同的引脚上并且由I/O控制电路接收。

在I/O控制电路处接收的命令由命令寄存器锁存

并且被传送到用于产生内部信号以控制设备操作的控制逻辑电路。地址由地址寄存器锁存,并发送到行解码器以选择行地址,或发送到列解码器以选择列地址。

数据逐字节(x8)或字传输到NAND闪存阵列或从NAND闪存数组传输数据

通过字(x16)通过数据寄存器和高速缓存寄存器。

NAND闪存阵列使用基于页面的操作进行编程和读取

并且使用基于块的操作来擦除。在正常页面操作期间

并且高速缓存寄存器充当单个寄存器。在缓存操作期间,数据和缓存

寄存器独立操作以增加数据吞吐量。状态寄存器报告

吨BTS50055-1TMA
BTS50085-1TMA
S9S08DZ60F2MLH
NCP1200D60R2G
IPC100N04S5-1R9
FS32K144HAT0MLHR
FS32K144HAT0VLHT
FS32K144UAT0VLHT
FS32K144HFT0MLLT
MK20DN512VLL10
TLE92108-232QX
MK70FN1M0VMJ15
MCF52259CAG80
ATSAMA5D36A-CU
KSZ9897RTXC74HC4051PW
ADS1100A1IDBVR
BTS3104SDL
BTT6200-4ESA
CYT2B97CACQ0AZSGS
FS32K118LFT0MLHR
FS32K144HFT0VLLT
FS32K144UAT0VLLT
FS32K146HFT0VLLT
FX32K144HAT0MLHT
GD32E103RBT6
LMV393IDR
LTC6811HG-lffPBF
LTC6994HS6-1#TRPBF
MAX6753KA46/V+T
MAX6753KA46/V+T
MC33771BSP1AE
MC33771BTA1AER2
MC33771BTP1AER2
REG1117-5
S912XEQ512J3MAL
S9KEAZ128AMLH(R)
SN6505BQDBVRQ1
SN74LVC1G373DBVR
SQD50N10-8M9L-GE3
STM32F030CCT6
TCAN1042VDRQ1
SI2371EDS-T1-GE3
NCV1455BDR2G
ADUM6421ABRNZ5
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INA240A2D


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  • 联系人:朱生
  • 地 址:深圳市福田区华强北赛格科技园4栋中12楼A座
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