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NVMFS5C426NWFAFT1G

NVMFS5C426NWFAFT1G产品图片
  • 发布时间:2022/4/29 15:16:35
  • 所属类别:集成电路 » 集成电路
  • 公    司:深圳市瑞卓芯科技有限公司
  • NVMFS5C426NWFAFT1G供应商

NVMFS5C426NWFAFT1G属性

  • DFN8
  • ON/安森美

NVMFS5C426NWFAFT1G描述

NVMFS5C426NWFAFT1G DFN8 ON/安森美 原装正品现货
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8FL
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 41 A, 235 A
Rds On-漏源导通电阻: 1.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 65 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.8 W, 128 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 47 ns
1500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 36 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
单位重量: 187 mg
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