BAS21LT1G
BAS21LT1G属性
- 0
- SOT23
- 0
- ON
BAS21LT1G描述
参数名称 参数值
Source Content uid BAS21LT1G
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
Objectid 2008538116
零件包装代码 SOT-23
包装说明 R-PDSO-G3
针数 3
制造商包装代码 318-08
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541.10.00.70
Factory Lead Time 57 weeks
风险等级 0.72
Samacsys Description 250 V Switching Diode
Samacsys Manufacturer onsemi
配置 SINGLE
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V
JEDEC-95代码 TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
最大非重复峰值正向电流 0.625 A
元件数量 1
端子数量 3
最高工作温度 150 °C
最低工作温度 -55 °C
最大输出电流 0.2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
最大功率耗散 0.225 W
认证状态 Not Qualified
最大重复峰值反向电压 250 V
最大反向恢复时间 0.05 μs
子类别 Rectifier Diodes
表面贴装 YES
端子面层 Tin (Sn)
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40
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