NCV2904DR2G

NCV2904DR2G属性

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NCV2904DR2G描述

参数名称 参数值
Source Content uid NCV2904DR2G
Brand Name ON Semiconductor
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
Objectid 2063260418
零件包装代码 SOIC
包装说明 SOP, SOP8,.25
针数 8
制造商包装代码 751-07
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.33.00.01
Factory Lead Time 4 weeks
风险等级 1.04
Samacsys Description ON Semiconductor NCV2904DR2G, Dual Op Amp, 3 → 32 V, 8-Pin SOIC
Samacsys Manufacturer onsemi
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.5 μA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.25 μA
最小共模抑制比 65 dB
标称共模抑制比 70 dB
频率补偿 NO
最大输入失调电流 (IIO) 0.05 μA
最大输入失调电压 7000 μV
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3
长度 4.9 mm
低-偏置 NO
低-失调 NO
微功率 NO
湿度敏感等级 1
功能数量 2
端子数量 8
最高工作温度 125 °C
最低工作温度 -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP
封装等效代码 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
包装方法 TR
峰值回流温度（摄氏度） 260
功率 NO
电源 +-1.5/+-16/3/32 V
可编程功率 NO
认证状态 Not Qualified
筛选级别 AEC-Q100
座面最大高度 1.75 mm
子类别 Operational Amplifier
最大压摆率 3 mA
供电电压上限 32 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V
表面贴装 YES
技术 BIPOLAR
温度等级 AUTOMOTIVE
端子面层 Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40
最小电压增益 15000
宽带 NO
宽度 3.9 mm

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