IPG20N06S4-15
- 发布时间：2022/3/21 15:11:40
- 所属类别：片状元器件 » 其它片状元器件
- 公 司：深圳市金启宁科技有限公司
- 联 系 人：曾小姐
IPG20N06S4-15属性
- MOSFET
- QFN8
- INFINEO
IPG20N06S4-15描述
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 15.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 50 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
系列: IPG20N06
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
零件号别名: IPG20N06S4-15 SP001028634
单位重量: 99.050 mg
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