SPP17N80C3

• 发布时间：2022/3/3 15:06:22
• 所属类别：晶体 » 其它晶体元件
• 公    司：深圳市维基鸿电子有限公司
• 联 系 人：朱小姐
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SPP17N80C3属性

SPP17N80C3描述

SPP17N80C3
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 17 A
Rds On-漏源导通电阻: 290 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
Qg-栅极电荷: 88 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 227 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 12 ns
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
系列: CoolMOS C3
MOQ：50
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 72 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
宽度: 4.4 mm

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