IRLML2030TRPBF
IRLML2030TRPBF属性
- IRLML2030TRPBF
- INFINEON
IRLML2030TRPBF描述
产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 2.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Qg-栅极电荷: 1 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
通道模式: Enhancement
商标名: HEXFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 2.9 ns
正向跨导 - 最小值: 2.6 S
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 3.3 ns
系列: N-Channel
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 4.5 ns
典型接通延迟时间: 4.1 ns
宽度: 1.3 mm
零件号别名: IRLML2030TRPBF SP001578662
单位重量: 8 mg