IRGP4063DPBF

IRGP4063DPBF属性

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IRGP4063DPBF描述

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 2.14 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 96 A
Pd-功率耗散: 330 W
最小工作温度: - 55 C
系列: Thyristor/Diode Module
封装: Tube
商标: Infineon / IR
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: IGBT Transistors
25
子类别: IGBTs
宽度: 5.31 mm
零件号别名: IRGP4063DPBF SP001549776
单位重量: 38 g

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