IRF9Z34NSTRRPBF

IRF9Z34NSTRRPBF属性

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IRF9Z34NSTRRPBF描述

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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 19 A
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 23.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 68 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 41 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 55 ns
800
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IRF9Z34NSTRRPBF SP001551716
单位重量: 330 mg

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