DMN2058UW-7

• 发布时间：2021/11/5 17:15:56
• 所属类别：集成电路 » 集成电路
• 公    司：深圳市欧芯特科技有限公司

DMN2058UW-7属性

DMN2058UW-7描述

安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-323-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 3.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 42 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 400 mV
Qg-栅极电荷: 7.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 700 uW
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 3.3 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.9 ns
工厂包装数量：3000
SBR3A40SA-13
AP4306AKTR-G1
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AP2210N-3.3TRE1
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AZ1117H-3.3TRE1
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AZ1117H-3.3TRG1
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AP2125K-3.3TRG1
AP4313KTR-G1
AP3012KTR-G1
AP3012KTR-E1
AL8860MP-13
DMG2305UX-7
AP2204K-5.0TRG1
AZ431BN-ATRE1
PI7C9X2G608GPCNJEX
AP1509-50SG-13
1N4148W-7-F
AL1692S-13
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PI3USB14-AZHEX
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ZXMP10A13FTA
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SBR3U40P1-7
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