IRFR120TRPBF

IRFR120TRPBF属性

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IRFR120TRPBF描述

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 7.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 270 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 16 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 17 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 27 ns
系列: IRFR
2000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 6.8 ns
零件号别名: IRFR120TRPBF-BE3
单位重量: 330 mg

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