IPB600N25N3G

IPB600N25N3G属性

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IPB600N25N3G描述

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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Id-连续漏极电流: 25 A
Rds On-漏源导通电阻: 51 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 136 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 8 ns
正向跨导 - 最小值: 24 S
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
系列: OptiMOS 3
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: OptiMOS 3 Power-Transistor
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 9.25 mm
零件号别名: IPB6N25N3GXT SP000676408 IPB600N25N3GATMA1
单位重量: 4 g

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